刘财坤
- 作品数：5 被引量：24H指数：2
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- ZnO陶瓷薄膜压敏电阻
- 本文主要介绍了ZnO压敏陶瓷薄膜的制备方法,主要掺杂物对ZnO陶瓷薄膜微观结构和性能的影响规律,并从理论上阐述掺杂物的作用机理以及热处理温度对陶瓷薄膜压敏性能的影响。
- 刘财坤李燕邓宏
- 关键词：ZNO压敏掺杂物热处理温度
- 文献传递
- AZO透明导电薄膜的结构与光电性能被引量：12
- 2007年
- 采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度。x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10–4Ω.cm。随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV。
- 李金丽邓宏刘财坤
- 关键词：无机非金属材料AZO薄膜光电性能
- 溶胶-凝胶法制备ZnO压敏薄膜及其性能研究
- ZnO压敏电阻是一种广泛应用于各种电路过电压保护和浪涌吸收的电子元件。随着大规模、超大规模集成电路的飞速发展，以ZnO为代表的低压压敏电阻器在计算机、通讯设备、铁路信号、汽车行业、微型电机以及各种电子器件的低压电路过流保...
- 刘财坤
- 关键词：溶胶-凝胶法结构优化电性能
- Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。
- 李金丽邓宏刘财坤袁庆亮韦敏
- 关键词：AZO薄膜X射线衍射AFM电阻率
- sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻被引量：2
- 2007年
- 利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。
- 刘财坤邓宏李金丽陈金菊韦敏
- 关键词：电子技术SOL-GEL法掺杂压敏性能
