李金丽
- 作品数：6 被引量：24H指数：2
- 供职机构：电子科技大学微电子与固体电子学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金四川省应用基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 射频溅射掺铝ZnO薄膜工艺及其光电性能研究
- 氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带(Eg=3.37eV)半导体材料,其激子束缚能高达60meV,而掺Al的ZnO(AZO)薄膜在室温紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。国外对AZO薄膜的研究从20世纪80年代就开始,但Al...
- 李金丽
- 关键词：AZO薄膜射频溅射法光电性能
- 文献传递
- 重掺Al3+对ZnO薄膜光学性能的影响
- 本文利用射频磁控溅射方法,在Si基片和玻璃基片上制备Al3+掺杂浓度10％-40％的ZnO薄膜,并测试了薄膜的透射谱和光致发光谱.随着Al3+掺杂浓度的提高,ZnO薄膜的吸收边向短波长方向蓝移;当Al3+掺杂浓度达到20...
- 袁庆亮李燕李金丽薛书文韦敏邓宏
- 关键词：ZNO薄膜光致发光谱透射谱射频磁控溅射
- 文献传递
- AZO透明导电薄膜的结构与光电性能被引量：12
- 2007年
- 采用射频溅射工艺制备了Zn1-xAlxO透明导电薄膜。通过XRD、UV透射和电学性能测试等分析手段,研究了Al浓度对薄膜的组织结构和光电性能的影响规律。结果表明:薄膜具有c轴择优取向,随着Al浓度的增加,(002)衍射峰向高角度移动,峰强度逐渐减弱,x(Al)为15%掺杂极限浓度。x(Al)为2%时,薄膜电阻率是3.4×10–4Ω.cm。随着掺杂量x(Al)从0增加到20%,薄膜的禁带宽度从3.34 eV增加到4.0 eV。
- 李金丽邓宏刘财坤
- 关键词：无机非金属材料AZO薄膜光电性能
- Al浓度对AZO薄膜结构和光电性能的影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频溅射方法在Si基片上制备出AZO掺杂薄膜,对薄膜进行了XRD和AFM分析,并对其电性能作了研究。结果表明,掺杂量低于15%(原子分数)时,AZO薄膜结构为纤锌矿结构,呈c轴方向择优生长,没有Al2O3相出现。薄膜的可见光透过率均在80%以上,其最高电阻率出现在掺杂量为30%(原子分数),为1.3×107Ω.cm。
- 李金丽邓宏刘财坤袁庆亮韦敏
- 关键词：AZO薄膜X射线衍射AFM电阻率
- sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻被引量：2
- 2007年
- 利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。
- 刘财坤邓宏李金丽陈金菊韦敏
- 关键词：电子技术SOL-GEL法掺杂压敏性能
- 射频溅射掺铝ZnO薄膜工艺及其光电性能的研究
- 氧化锌（ZnO）是一种重要的宽禁带（Eg＝3.37eV）半导体材料，其激子束缚能高达60meV，而掺Al的ZnO（AZO）薄膜在室温紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。国外对AZO薄膜的研究从20世纪80年代就开始，但Al...
- 李金丽
- 关键词：射频溅射光电性能
