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闫隆

作品数：4 被引量：11H指数：2
供职机构：中国科学院物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇扫描隧道显微...
  • 3篇自组织生长
  • 2篇STM
  • 1篇量子
  • 1篇量子点
  • 1篇硅衬底
  • 1篇费米
  • 1篇费米面
  • 1篇半导体
  • 1篇SI(111...
  • 1篇锗
  • 1篇GE量子点
  • 1篇衬底

机构

  • 4篇中国科学院

作者

  • 4篇闫隆
  • 3篇庞世谨
  • 3篇张永平
  • 3篇高鸿钧
  • 2篇彭毅萍
  • 1篇解思深

传媒

  • 3篇物理学报

年份

  • 3篇2002
  • 1篇2001
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长被引量：7
2002年
用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 .室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge ,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点 .由于Ge在Si(111) (7× 7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点 .
张永平闫隆解思深庞世谨高鸿钧
关键词：锗扫描隧道显微镜自组织生长量子点
在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格被引量：2
2002年
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 .
闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
关键词：扫描隧道显微镜STM半导体自组织生长硅衬底
Ge在Si(111)-7×7表面自组织生长的STM研究
该论文的主要工作是利用真空沉积技术和超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM)研究了Ge在Si(111)-7×7表面上的自组织生长,并形成了两种新的纳米级有序结构.另外,还研究了两种具有一定幻数的环状团簇的电子特性.通过室...
闫隆
关键词：扫描隧道显微镜自组织生长
文献传递
Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附被引量：4
2001年
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大 ,而在费米面附近的能级处非常小 .
闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
关键词：扫描隧道显微镜费米面
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