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庞世谨

作品数:10 被引量:21H指数:4
供职机构:中国科学院物理研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 6篇扫描隧道显微...
  • 5篇纳米
  • 5篇STM
  • 3篇原子
  • 3篇原子结构
  • 2篇碳管
  • 2篇自组织生长
  • 2篇纳米电子
  • 2篇纳米电子学
  • 2篇纳米碳
  • 2篇纳米碳管
  • 1篇等离子体化学...
  • 1篇电子回旋共振
  • 1篇多孔硅
  • 1篇信息存储
  • 1篇石墨
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇微波等离子体
  • 1篇微波等离子体...
  • 1篇量子

机构

  • 10篇中国科学院
  • 1篇东北大学
  • 1篇北京大学
  • 1篇北京科技大学
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇沈阳航空工业...

作者

  • 10篇庞世谨
  • 5篇薛增泉
  • 4篇高鸿钧
  • 3篇闫隆
  • 3篇高聚宁
  • 3篇时东霞
  • 3篇张永平
  • 3篇江月山
  • 3篇刘宁
  • 2篇杨海强
  • 2篇彭毅萍
  • 1篇陈慧英
  • 1篇王志
  • 1篇杨海强
  • 1篇解思深
  • 1篇何宇亮
  • 1篇杨清传
  • 1篇巴德纯
  • 1篇曹培江
  • 1篇顾有松

传媒

  • 3篇物理学报
  • 3篇第四届全国S...
  • 1篇现代科学仪器
  • 1篇物理
  • 1篇电子显微学报
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2002
  • 1篇2001
  • 2篇1998
  • 4篇1997
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格被引量:2
2002年
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111) (7× 7)表面上的自组织生长 .通过控制Ge的沉积量 ,在Si(111) (7× 7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格 .构成超晶格的Ge团簇均位于 (7× 7)亚单胞的位置上 ,而且它们的形状和大小基本保持一致 .
闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
关键词:扫描隧道显微镜STM半导体自组织生长硅衬底
大面积取向生长碳纳米管的ECR-CVD方法制备与表征被引量:4
2004年
本文采用电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积方法 (ECR -CVD) ,以CH4和H2 为气源、Fe3 O4纳米粒子为催化剂 ,未加电场 ,在多孔硅基底上制备出大面积取向生长碳纳米管。使用扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM)、X射线衍射 (XRD)、X射线能量色散分析 (EDX)对样品形貌和结构进行表征。结果显示 :合成的碳纳米管为多壁碳管 ;碳纳米管直径 6 0nm~ 90nm ,长度约 8μm ;碳纳米管展现出中空管状和链状两种结构 ;碳纳米管的生长采取催化剂底端生长模式。
王志巴德纯刘飞曹培江杨天中顾有松庞世谨
关键词:碳纳米管电子回旋共振多孔硅ECR硅基底微波等离子体化学气相沉积
纳米硅表面与界面的扫描隧道显微镜研究
本文应用扫描隧道显微镜(STM),对使用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备的纳米硅 (nc-Si:H)薄膜进行了研究,得到颗粒上以及颗粒间界的原子结构图像,从图像上可以得出:(1)纳米硅薄膜是由许多不同大小的颗...
高聚宁杨海强刘宁时东霞江月山薛增泉庞世谨何宇亮
关键词:纳米硅原子结构
文献传递
Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长被引量:7
2002年
用扫描隧道显微镜研究了Si(111) (7× 7)表面上Ge量子点的自组织生长 .室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge ,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点 .由于Ge在Si(111) (7× 7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点 .
张永平闫隆解思深庞世谨高鸿钧
关键词:扫描隧道显微镜自组织生长量子点
纳米电子学中超高密度信息存储研究的新进展被引量:1
1998年
超高密度信息存储是纳米电子学的重要课题,我们根据电荷转移原理,在有机复合薄膜上用扫描隧道显微镜首次得到直径为13nm的信息点阵.信息记录点的形成起源于薄膜的局域电导变化。
庞世谨薛增泉
关键词:信息存储超高密度纳米电子学
纳米碳管的STM研究被引量:1
1997年
本文应用扫描隧道显微镜对弧光放电方法得到的纳米碳管进行了观察。弧光放电法所产生的纳米碳管以直线型为主,并且多以束状存在。碳管束直径约20nm,而单根碳管的直径大多在2nm到5nm之间。观察到单层碳管的原子像,其表面为石墨网格的六角结构。纳米碳管的原子像及单根碳管表面均未发现明显缺陷存在,这可能是它具有很高强度质量比的主要原因之一。
高聚宁杨海强刘宁时东霞江月山薛增泉庞世谨
关键词:STM碳管原子结构纳米碳管石墨
纳米碳管的STM研究
本文应用扫描隧道显微镜对弧光放电方法得到的纳米碳管进行了观察。弧光放电法所产生的纳米碳管以直线型为主,并且多以束状存在。碳管束直径约20nm,而单根碳管的直径大多在2nm 到 5nm 之间。观察到单层碳管的原子像,其表面...
高聚宁杨海强刘宁时东霞江月山薛增泉庞世谨
关键词:碳管原子结构
文献传递
Ge在Si(111)7×7表面的选择性吸附被引量:4
2001年
利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下Ge在Si( 111) 7× 7表面上初期吸附过程 .在Ge所形成团簇中存在一个临界核 .这些Ge团簇的吸附中心总是在三个增原子所围成的区域中 .它们的电子结构具有类似半导体的性质 ,即其局域态密度在远离费米面的能级处很大 ,而在费米面附近的能级处非常小 .
闫隆张永平彭毅萍庞世谨高鸿钧
关键词:扫描隧道显微镜费米面
有机聚合物CPU的结构形态
本文用扫描隧道显微镜(STM)研究了有机氰基-苯基-脲(CPU)的表面结构。在不同的 CPU 薄膜制备条件下,得到了不同的 CPU 薄膜的 STM 像,表明制备条件与成膜结构的密切关系。观察到了 CPU 薄膜中晶区和非晶...
高鸿钧马立平杨清传陈慧英薛增泉庞世谨
关键词:STMCPU
文献传递
原子操纵的进展被引量:4
1998年
本文对近年来原子操纵这一崭新的研究领域的有关进展作了回顾。介绍了有关原子操纵的定义、发展背景以及各种原子操纵的方法,总结了各主要实验室的主要研究成果,从应用的角度对原子操纵今后的发展方向作了预测。
庞世谨
关键词:扫描隧道显微镜纳米电子学
共1页<1>
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