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韦嘉

作品数：9 被引量：10H指数：2
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部“211”工程更多>>
相关领域：电子电信电气工程机械工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇机械工程

主题

  • 4篇电容
  • 4篇压控
  • 4篇压控电容
  • 4篇射频
  • 3篇微机械
  • 3篇隔离度
  • 2篇能量法
  • 2篇微机电系统
  • 2篇开关
  • 2篇机电系统
  • 2篇高隔离
  • 2篇高隔离度
  • 2篇板型
  • 2篇RFMEMS
  • 2篇MEMS
  • 2篇电系统
  • 1篇低通
  • 1篇低通滤波器
  • 1篇电极
  • 1篇电子元

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇韦嘉
  • 8篇李志坚
  • 8篇刘泽文
  • 6篇刘理天
  • 4篇宣云
  • 3篇雷啸锋
  • 2篇陈忠民
  • 2篇方杰
  • 2篇梁雪冬
  • 1篇赵嘉昊
  • 1篇王昱

传媒

  • 2篇Journa...
  • 1篇光学精密工程
  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇电子器件
  • 1篇2005(第...

年份

  • 2篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
射频MEMS器件研究进展
本文对射频MEMS器件研究的最新进展进行了论述。文章分别讨论了几种主要MEMS器件的包括开关、电感、电容、滤波器和谐振器、天线的特点及主要性能指标，并给出了由清华大学研制的几种重要的RFMEMS器件包括开关、电感、压控电...
刘泽文陈忠民韦嘉宣云刘理天李志坚
关键词：电子元件微电子技术射频器件
文献传递
一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作被引量：4
2005年
介绍了一种K波段双桥结构的电容式RFMEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用AgilentADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高.利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品.双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz.
雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
关键词：MEMS开关高隔离度
两侧下拉电极MEMS压控电容的分析和优化被引量：3
2005年
基于能量法对两侧下拉电极控制(SPEC)的MEMS(微机电系统)压控电容进行了分析和优化。使用数值迭代方法计算了压控电容可动极板的挠度试解函数,得到了试解函数形状在不同驱动电压下的曲线。计算结果与有限元仿真所得结果一致。在此基础上,给出了基于铝材料的两侧下拉电极MEMS压控电容的优化过程,得到了优化结果。对于初始应力5 MPa,杨式模量70 GPa,极板厚度1.5μm,极板间距1μm,总长度为600μm的铝材料压控电容,控制电极采用70μm的优化长度,可以实现变化比率为2∶1电容变化比率。结果表明采用(SPEC)结构的压控电容,能有效地减小或避免静电微机械结构特有的“崩塌”效应,获得较大的电容调节范围。
刘泽文韦嘉王昱方杰刘理天李志坚
关键词：压控电容微机电系统能量法
低损耗衬底上实现无源低通滤波器(英文)
2006年
分析比较了不同种类衬底上无源器件(片上电感和电容)的损耗机理,在OPS(氧化多孔硅)和HR(高阻硅)低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器.为了研究衬底损耗,设计了平面螺旋电感,其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20.在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.9GHz,通带插入损耗在500MHz为0.87dB;在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2.3GHz,通带插入损耗在500MHz为0.42dB.
方杰刘泽文赵嘉昊陈忠民韦嘉刘理天李志坚
关键词：片上电感
一种X波段RFMEMS开关的设计与制作研究被引量：1
2005年
设计并制作了一种X波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了”关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用AgilentADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。
雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
关键词：MEMS开关X波段高隔离度
三极板型RFMEMS压控电容的分析与制作
设计并制作了基于硅基的射频微机械压控电容。该电容采用三对极板的传动结构,当两侧控制极板受到静电力驱动时,位于中部的电容极板将得到更大的位移。能量分析和软件模拟表明,该结构有助于提高压控电容的变化比例。测量表明,该电容品质...
韦嘉梁雪冬刘泽文李志坚
关键词：压控电容射频微机械
文献传递
介质表面形貌对射频微机械开关隔离度的影响被引量：1
2006年
针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF M EM S)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF M EM S开关,分别采用金属A u和A l作为开关的下电极,以S iN作为电容介质制备了样品。微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别。利用原子力显微镜对金属A u和A l上制作的S iN介质层表面进行了测试,表面粗糙度R a值分别为13.050 nm和66.680 nm,分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15。为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下。
雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
关键词：微波开关微机械表面粗糙度隔离度
三极板型RFMEMS压控电容的分析与制作被引量：1
2004年
设计并制作了基于硅基的射频微机械压控电容。该电容采用三对极板的传动结构,当两侧控制极板受到静电力驱动时,位于中部的电容极板将得到更大的位移。能量分析和软件模拟表明,该结构有助于提高压控电容的变化比例。测量表明,该电容品质因数为17@2GHz,并具有较大的电容变化比例(大于50%)。该电容工艺简单,实现温度较低(小于350℃),具有与CMOS工艺集成的可行性。
韦嘉梁雪冬刘泽文李志坚
关键词：压控电容射频微机械
RF MEMS压控电容理论优化和工艺研究
射频微电子机械系统（RF MEMS）技术在射频（RF）通信领域的应用正在得到广泛的重视。为了实现高性能的射频压控振荡器,需要大变容范围,高品质因数的压控电容器件。利用静电驱动的RF MEMS压控电容成为了人们研究的一个热...
韦嘉
关键词：微机电系统射频压控电容能量法氧化多孔硅
文献传递
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