您的位置： 专家智库 > >

宣云

作品数：9 被引量：21H指数：3
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇开关
  • 4篇射频
  • 3篇微机械
  • 3篇隔离度
  • 3篇RF_MEM...
  • 2篇微电子
  • 2篇共面
  • 2篇共面波导
  • 2篇高隔离
  • 2篇高隔离度
  • 2篇BST
  • 2篇MEMS
  • 2篇波导
  • 1篇电子元
  • 1篇电子元件
  • 1篇射频器件
  • 1篇射频微机电系...
  • 1篇特征阻抗
  • 1篇微波开关
  • 1篇微电子机械

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇宣云
  • 8篇李志坚
  • 8篇刘理天
  • 8篇刘泽文
  • 7篇雷啸锋
  • 4篇韦嘉
  • 1篇陈忠民

传媒

  • 1篇光学精密工程
  • 1篇Journa...
  • 1篇清华大学学报...
  • 1篇测控技术
  • 1篇电子器件
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇2005(第...
  • 1篇第八届敏感元...

年份

  • 1篇2006
  • 6篇2005
  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
射频MEMS器件研究进展
本文对射频MEMS器件研究的最新进展进行了论述。文章分别讨论了几种主要MEMS器件的包括开关、电感、电容、滤波器和谐振器、天线的特点及主要性能指标，并给出了由清华大学研制的几种重要的RFMEMS器件包括开关、电感、压控电...
刘泽文陈忠民韦嘉宣云刘理天李志坚
关键词：电子元件微电子技术射频器件
文献传递
高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究被引量：8
2005年
设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。
刘泽文宣云雷啸锋李志坚刘理天
关键词：共面波导特征阻抗
斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究被引量：3
2005年
介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作。该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低到20 GHz附近。制作过程中将平面工艺和垂直喷镀工艺相结合,获得了较厚的共面波导传输线。开关的驱动电压为20 V,在20 GHz下,“开”态插入损耗为1.03 dB,“关”态隔离度为26.5 dB。
宣云刘泽文雷啸锋李志坚刘理天
关键词：开关射频微机电系统共面波导
RF MEMS开关器件研究
射频微电子机械系统（RF MEMS）技术在现代通信领域中越来越受到重视。开关是射频电路中的重要元件,具有低插入损耗、高隔离度、低开启电压、高可靠性的 RF MEMS 开关已经成为 RF MEMS 器件中的研究热点。RF ...
宣云
关键词：微电子机械系统射频开关
文献传递
一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作被引量：4
2005年
介绍了一种K波段双桥结构的电容式RFMEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用AgilentADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高.利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品.双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz.
雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
关键词：MEMS开关高隔离度
一种X波段RFMEMS开关的设计与制作研究被引量：1
2005年
设计并制作了一种X波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了”关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用AgilentADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。
雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
关键词：MEMS开关X波段高隔离度
介质表面形貌对射频微机械开关隔离度的影响被引量：1
2006年
针对粗糙介质表面造成射频微机械(RF M EM S)开关隔离度衰减的问题,设计了一个双桥电容式RF M EM S开关,分别采用金属A u和A l作为开关的下电极,以S iN作为电容介质制备了样品。微波特性测量表明两种材料开关的隔离度有很大区别。利用原子力显微镜对金属A u和A l上制作的S iN介质层表面进行了测试,表面粗糙度R a值分别为13.050 nm和66.680 nm,分析得到相应的关态电容减少因子分别为0.52和0.15。为获得较好的开关隔离度,介质表面粗糙度须控制在5 nm以下。
雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
关键词：微波开关微机械表面粗糙度隔离度
高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究被引量：4
2004年
介绍了一种电容式MEMS开关的制作工艺。所有的步骤都采用表面微加工工艺完成。其中 ,区别于常规采用的SixNy薄膜 ,笔者采用了高介电常数的Ba0 .5Sr0 .5TiO3 (BST )铁电薄膜作为开关的介电层 ,使“开”“关”状态电容比值大大提高 ,开关的插入损耗和隔离度性能得到提高。在制作工艺上 ,采用正胶作为牺牲层 ,并用发烟硝酸进行释放 ,获得了较好的效果。最终 ,制备了一种高性能的电容式MEMS开关。
雷啸锋刘泽文宣云李志坚刘理天
关键词：射频微机械BST开关
高介电常数介质RF MEMS开关的制作研究
本文报道了一种电容式MEMS开关的制作工艺.所有的步骤都采用表面微加工工艺完成.其中,区别于常规采用的Si<,x>N<,y>薄膜,我们采用了高介电常数的Ba<,0.5>Sr<,0.5>TiO<,3>(BST)铁电薄膜作为...
雷啸锋刘泽文宣云李志坚刘理天
关键词：射频微机械BST开关
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0