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鲍敏杭

作品数:98 被引量:211H指数:8
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点实验室开放基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:自动化与计算机技术电子电信机械工程电气工程更多>>

文献类型

  • 55篇期刊文章
  • 19篇会议论文
  • 17篇专利
  • 7篇科技成果

领域

  • 34篇自动化与计算...
  • 29篇电子电信
  • 17篇机械工程
  • 4篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 53篇感器
  • 53篇传感
  • 53篇传感器
  • 29篇微机械
  • 27篇力传感器
  • 26篇
  • 25篇压力传感器
  • 12篇加速度
  • 11篇微压
  • 11篇各向异性腐蚀
  • 10篇微机械结构
  • 10篇机械结构
  • 9篇压阻
  • 8篇速度传感器
  • 8篇微压传感器
  • 8篇加速度传感器
  • 8篇MEMS
  • 6篇掩模
  • 6篇微电子
  • 6篇硅电容

机构

  • 88篇复旦大学
  • 10篇中国科学院
  • 4篇沈阳仪器仪表...
  • 3篇中国科学院上...
  • 1篇北京大学
  • 1篇哈尔滨理工大...
  • 1篇华东师范大学
  • 1篇浙江大学

作者

  • 98篇鲍敏杭
  • 40篇沈绍群
  • 27篇李昕欣
  • 27篇杨恒
  • 20篇黄宜平
  • 13篇周嘉
  • 7篇尹颢
  • 6篇王言
  • 6篇于连忠
  • 6篇陈宏
  • 6篇王跃林
  • 6篇纪新明
  • 5篇包宗明
  • 4篇胡澄宇
  • 3篇季红
  • 3篇窦凤春
  • 3篇孙远程
  • 3篇晋琦
  • 3篇马青华
  • 3篇陈蓓蓓

传媒

  • 12篇Journa...
  • 12篇传感技术学报
  • 10篇仪表技术与传...
  • 4篇功能材料与器...
  • 4篇第六届全国敏...
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  • 2篇第八届中国微...
  • 2篇第九届全国敏...
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  • 1篇传感器技术
  • 1篇光电子技术与...
  • 1篇电子学报
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇航空计测技术
  • 1篇世界产品与技...
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子科技导报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
  • 3篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 4篇2007
  • 7篇2006
  • 3篇2005
  • 3篇2003
  • 2篇2002
  • 8篇2001
  • 7篇2000
  • 5篇1999
  • 8篇1998
  • 3篇1997
  • 11篇1996
  • 4篇1995
  • 5篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
98 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硅二维腐蚀速率分布图的测试新方法
提出了测量硅二维腐蚀速率分布图的一种新方法。该方法利用深反应离子刻蚀(ORIE)在硅片表面刻蚀出垂直于硅片表面的一系列晶面,利用显微镜直接测量各晶面的腐蚀速率,可以得到一个二维的腐蚀速率分布图。由于ORIE刻蚀出一晶面深...
杨恒尹颢沈绍群鲍敏杭张大成
关键词:各向异性腐蚀深反应离子刻蚀
500pa微压传感器的研制
在对压阻式扩散硅微压传感器的设计、制作等方面进行了研究,并考虑了微压传感器灵敏度、非线性、稳定性和过载能力等方面的相互矛盾和存在问题,在PT-24的版图基础上,对版图设计和工艺技术作了改进,成功地制作高灵敏度压力传感器。...
沈绍群鲍敏杭孙立镌
关键词:传感器硅压力传感器
微型静电悬浮Z向加速度计的计算机模拟
1996年
本工作针对一种新型的电容式力平衡加速度计-微型静电悬浮Z向加速度计进行了计算机模拟。模拟中的Z向加速度计拟采用微机械加工技术在硅片上制作,利用静电悬浮原理平衡质量块,感应加速度并输出信号。计算机模拟分析了加速度计的悬浮特性,稳定特性,响应特性。对C-F转换电路的输出特性也进行了分析,该电路可用CMOS工艺集成在加速度传感器的周围。模拟结果表明该加速度计具有灵敏度高,抗冲击性能好的特点。
李宝清陆德仁熊斌卢平芳何国鸿鲍敏杭王渭源
关键词:微机械加速度计计算机模拟
硅压阻式加速度传感器的结构研究被引量:7
1996年
结合实际器件设计,对三种压阻式加速度传感器结构即双悬臂梁、四梁和双岛-五梁结构进行了详细的力学分析和特性比较,得到了理论计算的灵敏度、固有频率和阻尼等特性,器件的测试结果与理论计算值基本相符,目前三种结构的器件都已实用化,封装后的质量小于1g.该项工作为实际应用中根据不同量程要求选取不同的器件结构与参数提供了依据.
陈宏鲍敏杭胡澄宇
关键词:加速度传感器压阻式
利用计算机模拟研究硅无掩模腐蚀中的圆角问题
硅各向异性湿法腐蚀是重要的微机械加工技术,传统的腐蚀技术在制造多层结构时遇到了较大的困难,而最近开发成功的无掩模腐蚀新技术是较好地解决了这一问题.与传统腐蚀技术不同,无掩模腐蚀得到的结构侧壁为(311)面.在(311)面...
杨恒尹颢鲍敏杭沈绍群
关键词:各向异性计算机模拟
文献传递
高精度硅电容压力传感器的研究被引量:2
1996年
本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。
李昕欣张纯棣庞世信鲍敏杭杨恒
关键词:电容压力传感器传感器硅电容
基于表面等离子体效应的MEMS红外辐射源特性研究被引量:3
2008年
研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振SPR(Surface plasmon resonance)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5μm的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构,包括三种不同的圆孔间距即晶格常数:6μm,7μm,和8μm;四种占空比(圆孔直径与晶格常数之比):3/8,4/8,9/16和11/16;以及三种圆孔排列方式:正方形排列,六边型排列,和带规则缺陷六边型排列。本文采用红外傅立叶测量设备对辐射源进行测试分析,通过该辐射源的红外反射谱表征其辐射性能,并利用FDTD软件进行模拟,和实验数据作了比较。研究结果得出了红外辐射源反射谱波谷位置即SPR共振峰位置,波谷强度即SPR共振峰强度与不同结构参数之间的关系。研究发现该辐射源SPR共振峰位置基本与圆孔间距即晶格常数成正比,正方型排列基本接近于1:1,而六边型排列基本接近于3/2;常规六边型排列比带缺陷六边型排列和正方型排列具有更窄的半波宽和更大的SPR共振强度;随着占空比变大,该辐射源的SPR共振峰强度变大。
王国勋纪新明周嘉包宗明鲍敏杭黄宜平
关键词:光子晶体
十字梁岛结构的硅力传感器
本实用新型属半导体力传感器领域,包括硅膜芯片、力敏器件、陶瓷管座、玻璃底板几个部分。其中硅膜芯片设计成十字梁岛结构形式,力敏器件设置在应变梁接近边框的端点处,用半导体离子注入工艺制作。与通常的力传感器相比,本器件体积小,...
王言鲍敏杭
文献传递
用掩膜和无掩膜技术一次成型原子力显微镜探针和悬臂梁
李昕欣鲍敏杭杨恒王跃林
本发明提供了一种利用掩膜-无掩膜腐蚀技术实现AFM悬臂梁和探针一次成型的制作方法。其特征在于在腐蚀过程中,探针采用有掩膜腐蚀技术腐蚀,而梁采用无掩膜腐蚀技术腐蚀,当探针针尖的直径达到预定值时,梁的厚度达到设定值。本发明所...
关键词:
关键词:掩膜悬臂梁
智能剥离SOI高温压力传感器被引量:11
2001年
采用改进的 RCA清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 ,提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智能剥离 SOI (Silicon On Insulator)材料 ,并用该材料成功地研制了双岛 -梁 -膜结构的 SOI高温压力传感器 .对 SOI压力传感器的测量结果表明 ,当温度增加到 15 0℃左右时 ,输出电压没有明显的变化 ,其工作温度高于一般的体硅压力传感器 (其工作温度一般在 12 0℃以下 ) .测得所制备 SOI压力传感器的灵敏度为 6 3m V/ (MPa· 5 V) ,比用相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约
黄宜平竺士炀李爱珍鲍敏杭沈绍群王瑾吴东平
关键词:SOI压力传感器
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