黄宜平
- 作品数：124 被引量：247H指数：9
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学机械工程更多>>
- 改进的多孔硅生长模型和计算机模拟被引量：1
- 2003年
- 基于多孔硅生长过程中阳极化电流,氢氟酸(HF)含量与多孔硅微结构的关系,提出一个改进的多孔硅生长模型,并进行了计算机模拟.该模型吸收了限制扩散模型的优点,同时考虑了F-与空穴的反应过程因素,利用该模型可以模拟出多孔硅形成过程中大电流条件下的电化学抛光现象.二维(100×100)点阵模拟结果与实验数据具有较好的匹配性,模拟得出的多孔硅的多孔度同实验数据相比较,误差不超过10%.
- 张庆全竺士炀黄宜平
- 关键词：计算机模拟氢氟酸微结构
- 一种基于抗体抗原法检测肝纤维化的微型传感器
- 本发明属硅微机械和电化学技术领域，具体为一种基于抗体抗原法检测肝纤维化的微型传感器。它由工作电极、参比电极、对电极和基板构成。其中，工作电极呈圆形或类似圆形，对称排列，参比电极呈U字形，置于工作电极中间，对电极呈长条形，...
- 黄洪湖周嘉史绵红黄宜平孔继烈
- 文献传递
- SOI智能剥离制备技术和SOI微机械加工技术
- 竺士炀张苗鲍敏杭黄宜平林成鲁沈绍群王连卫多新中吴东平王瑾黄继颇
- 低成本、高质量的SOI材料制备技术是SOI技术成为主流硅基集成电路技术的关键。该项目研究的智能剥离技术是国际上新近提出的一种较为理想的SOI制备技术，该项研究成果为SOI材料的国产化打下了基础。该项目的另一研究成果SOI...
- 关键词：
- 关键词：SOI智能剥离技术微机械技术
- 光声光谱法探测微量气体被引量：29
- 2006年
- 介绍光声光谱气体传感器的发展及应用意义,根据气体光声效应讨论了光声气体传感器的工作原理,详细分析了多种不同结构传感器的原理及优缺点。重点讨论了常用一维管状光声腔体的光声理论,并给出了数学模拟模型。根据国内外的研究现状,分析了光声气体探测系统的重难点以及可能的解决方法,并讨论了光声传感向MEMS方向发展的原因及意义。
- 王建业纪新明吴飞蝶周嘉黄宜平
- 关键词：光声光谱法气体探测微机械技术
- 一种三维神经微电极阵列的制作方法
- 本发明属于微电极微加工技术领域，具体为一种三维神经微电极阵列的制作方法。本发明利用玻璃模具、PDMS的微复制特性和电镀技术制作三维微电极阵列，用精密切割机切割玻璃形成柱状阵列，用HF和NH<Sub>4</Sub>F的混合...
- 吕尊实周嘉黄宜平是慧芳
- 文献传递
- 高灵敏度电容型透明质酸结合蛋白免疫传感器的研制被引量：6
- 2003年
- 实验用金电极自组装技术构建透明质酸结合蛋白电容型免疫传感器 ,采用交流阻抗技术对电极表面生物绝缘膜进行研究。按R(RC)等效电路图对其阻抗谱进行拟合的偏差较小 ,显示实际体系接近于拟合的电路图。该传感器对 1～ 10 0mg L抗原具有良好的线性响应。构建的生物膜对于一定范围的离子强度、酸度具有良好的稳定性 。
- 江德臣黄松唐佳刘宝红黄宜平孔继烈
- 关键词：透明质酸结合蛋白自组装技术交流阻抗巯基乙酸金电极
- SOIMOSFET二维数值模拟器的设计
- 1999年
- 介绍了ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ 二维数值模拟器的设计过程。耦合和非耦合相结合的迭代方法提高了收敛稳定性和计算效率。考虑了两种载流子的连续性方程及产生复合作用，精度较高。给出了利用该设计方法获得的ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ二维体电势分布以及载流子浓度分布的三维输出图形。
- 吴东平黄宜平竺士炀
- 关键词：SOIMOSFET
- 特高频双晶振混频式气体传感单元
- 本发明属传感器技术领域，具体为一种特高频双晶振混频式气体传感单元。它由两个晶体振荡器A和B、串联双二极管平衡混频器、检波及放大器、整形放大器经电路连接组成。其中，晶体振荡器A和B的两个晶振片的频率在30-60MHz之间，...
- 刘全黄宜平
- 文献传递
- X射线荧光分析中X射线管原级能谱分布的测定被引量：12
- 2006年
- 确切知道X射线管激发的原级能谱分布是X射线荧光分析中的一个重要前提,所用能谱分布函数的准确度大大影响了最终的测量结果。提出利用间接测量法,选用合适的参量模型来描述X射线的原级能谱分布。依靠实验测得的厚靶纯元素样品的荧光强度,利用已知的理论公式,建立非线性方程,优化得到参量模型中的参量值。通过比较实验测得的元素的荧光强度值和利用得到的能谱分布函数计算的理论值,证明此种方法是可行的。
- 纪新明王建业贾文红朱节清黄宜平
- 关键词：X射线光学X射线荧光分析荧光强度
- 多孔硅及其在SOI技术中的应用研究被引量：2
- 1995年
- 对多孔硅的形成规律、微观结构作了系统的研究。采用ｎ－／ｎ＋／ｎ－掺杂结构工艺途径实现了硅岛宽度大于１００μｍ、硅膜单晶性好、硅膜厚度为２００ｎｍ到几μｍ范围的多孔氧化硅ＳＯＩ材料。用该材料研制的新型ＳＯＩ／半导体压力传感器具有灵敏度高、工作温度范围宽等特点。
- 黄宜平李爱珍汤庭熬鲍敏杭
- 关键词：多孔硅SOI压力传感器
