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刘宇: 作品数：45 被引量：2H指数：1; 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>; 发文基金：国家自然科学基金更多>>; 相关领域：电子电信自动化与计算机技术核科学技术交通运输工程更多>>

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一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...; 刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青

一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法: 本发明公开一种三维半导体器件、芯片及三维半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，用于在信息处理过程中，实现一次性对信号进行多级处理。所述三维半导体器件，包括：衬底及由下至上依次形成在衬底上的滤波结构、卷积结构及脉冲输出...; 刘琦汪泳州吴祖恒时拓刘宇张培文刘明; 文献传递

一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置: 本发明公开了一种用于改善刻蚀工艺的匀气装置，该装置由进气管和匀气环构成，进气管和匀气环均由中空管制作而成，二者内部连通，连接处密封，且匀气环在其所在平面的表面开有气孔。利用本发明，可精确地将反应气体直接输送到样品台附近，...; 刘宇刘明龙世兵谢常青胡媛; 文献传递

全电控自旋纳米振荡器神经元器件: 本发明公开了全电控自旋纳米振荡器神经元器件，该器件包括：左电极、右电极、顶电极、重金属层、非磁性金属层、左反铁磁钉扎层、右反铁磁钉扎层和MTJ；MTJ包括由下至上的铁磁自由层、势垒隧穿层和铁磁参考层；在全电场调控下，直流...; 邢国忠王迪林淮刘龙牛洁斌刘宇王艳许晓欣刘明; 文献传递

一种改善用于Al2O3介质上的光刻工艺的方法: 本发明公开了一种改善Al2O3介质上的光刻工艺的方法，Al2O3介质层易被含有四甲基氢氧化铵的碱性显影液所腐蚀，从而影响器件的性能，...; 张凯平刘明谢常青龙世兵陆丛研胡媛刘宇赵盛杰; 文献传递

一种金属氧化物场效应晶体管及其制作方法: 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种金属氧化物场效应晶体管的制作方法，包括：在衬底上由下至上依次形成有绝缘层、第一电极、牺牲层、第二电极、结构层，牺牲层的厚度按照沟道的预设长度来确定；刻蚀牺牲层的边缘，使得在牺牲层的边...; 刘宇刘明胡媛张凯平张培文路程赵盛杰刘琦吕杭炳谢常青; 文献传递

相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)的X射线辐照致变效应研究被引量：2: 2021年; 相变材料Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)由于其独特的光学和电学性质,在光学记录、数据存储等方面具有广泛的应用。在航空航天、安检扫描等一些特定环境中,X射线辐照会使得相变材料发生结构和性能的变化,研究Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)在X射线辐照下的结构变化就非常必要。对Si衬底上50 nm厚的Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)薄膜材料采用X射线进行不同时间的照射,并利用高分辨率X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy,XPS)分析了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)的化学形态以及结构的变化。结果表明:随辐照时间的增加,Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)薄膜材料中各元素化学状态及键合方式发生了改变,被氧化的程度也逐渐增强,表现为GeO_2的XPS峰强度增强,Sb_(2)O_(3)、TeO_2分别转变为更高金属价态氧化物Sb_(2)O_(5)和TeO_(3)。研究还确定了Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)的极限照射时间为9 h,长时间的辐照作用,使得材料表面受到严重破坏,形成大量孔洞。通过研究Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)在X射线辐照下的结构变化,为Ge_(2)Sb_(2)Te_(5)相变材料和器件的抗辐照机制及辐射加固技术的研究提供参考。; 何佩谣赵越刘宇王波朱效立; 关键词：X射线光电子能谱化学键

采用PECVD制备碳化硅薄膜的方法: 本发明公开了一种利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在高温条件下制作碳化硅薄膜的方法，包括：1)衬底预备；2)衬底清洗；3)腔体抽真空，达到真空预定值后加热；4)加热到预定温度，通入反应气体；5)调整工作气压，打开...; 朱效立宋曦刘宇谢常青刘明; 文献传递

一种多介质检测传感器及其制作方法: 本发明实施例提供的一种多介质检测传感器及其制作方法，其中多介质检测传感器包括：衬底；栅极，设置于所述衬底上表面；有源层，覆盖在所述衬底的上表面，在所述栅极与所述有源层之间形成腔体结构；其中，所述腔体结构用于容纳气体介质形...; 陆丛研卢年端李泠刘宇王嘉玮耿玓刘明; 文献传递

一种半导体器件及其制备方法: 本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，该制备方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括位于表面的电解质层；在所述电解质层上形成绝缘保护层；通过干法刻蚀去除部分所述绝缘保护层，并形成暴露部分所述电解质层的暴露区域...; 尚大山徐晗李悦刘宇张凯平刘琦