常秀兰
- 作品数：15 被引量：26H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信一般工业技术更多>>
- 量子级联激光器的材料生长与器件制作
- 本文详细讨论了量子级联激光器的器件制作过程,包括材料生长,金属电极的制作等,对工艺过程进行了探索.对于10×800μm<'2>的激光器件,阈值电流密度是3kA/cm<'2>,峰值输出功率是~7.2mW.
- 常秀兰李成明刘峰奇王占国
- 关键词：量子级联激光器
- 文献传递
- 真空镀膜机加热装置
- 本实用新型涉及一种真空镀膜机加热装置，包括：一加热片，该加热片为一片体，该加热片为连续折线形，该加热片的两端均有一接脚；一薄形盒体，该薄形盒体为矩形，该薄形盒体的一端为开口，该薄形盒体内部空间大于加热片；该加热片容置在薄...
- 路秀真常秀兰刘峰奇王占国
- 文献传递
- 等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼被引量：7
- 2004年
- 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。
- 曾湘波廖显伯王博刁宏伟戴松涛向贤碧常秀兰徐艳月胡志华郝会颖孔光临
- 关键词：纳米线PECVD法PN结掺硼硼烷硅源
- Ag／AuGeNi／n－GaSb欧姆接触的研究被引量：2
- 1995年
- 研究了Ａｇ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＳｂ在１５０℃一４５０℃下合金处理对欧姆接触的影响，最佳合金温度为２２０℃，此时接触电阻率为６．７×１Ｏ－‘Ωｃｍ‘。用ＡＥＳ和ＸＲＤ研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化，并讨论了接触电阻率与微结构的关系。
- 钟兴儒刘爱民林兰英常秀兰陶琨陈顺英
- 关键词：欧姆接触接触电阻率微结构太阳能电池
- 脊形波导量子级联激光器的制作方法
- 一种脊形波导量子级联激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)在半导体衬底上生长量子级联结构，作为激光器的有源区和波导层；(B)在量子级联结构材料上生长厚的二氧化硅，作为质子轰击掩蔽层；(C)涂光刻胶，刻蚀出条形...
- 路秀真常秀兰胡颖刘峰奇王占国
- 文献传递
- 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法
- 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。
- 陆秀真常秀兰李成明刘峰奇王占国
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- MgF2/ZnS双层减反射膜的研制
- 制作减反射膜是增加光的入射,从而提高太阳电池的光生电流和效率的常用方法。 减反射膜的基本原理是利用光波在减反射膜上下表面反射所产生的光程差使得两束反射光干涉相消,从而减弱反射,提高光的入射。在太阳电池材料和入射光谱确定的...
- 常秀兰向贤碧袁海荣
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- 电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法
- 一种电泵浦边发射半导体微腔激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(A)先在半导体材料上沉积电极；(B)然后光刻、湿法腐蚀出所需电极形貌；(C)再进行套刻；(D)然后用分步腐蚀的方法腐蚀出谐振腔和支架。
- 陆秀真常秀兰李成明刘峰奇王占国
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- GaAs基系Ⅲ一V族叠层电池的研究
- 以GaAS材料为基础组成的Ⅲ—V族化合物叠层电池能获得很高的光电转换效率.这种类型的电池主要由两种材料体系组成,一种是AlGaAs/GaAs叠层电池,另一种是GaInP/GaAs叠层电池,后者是一种较新的材料体系.国外从...
- 向贤碧常秀兰廖显伯杜文会
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- GaAs基系III-V族叠层电池的研究
- 作者采用LPE技术和MOCVD技术进行AIGaAs/GaAs太阳电池的研究和GaInP/GaAs叠层电池的研究,本文报道作者在这两种叠层电池的研究中取得的成果.
- 向肾碧常秀兰廖显伯杜文会
- 关键词：叠层电池光电转换效率
