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向贤碧

作品数:42 被引量:41H指数:3
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金教育部重点实验室开放基金更多>>
相关领域:电气工程电子电信一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 26篇期刊文章
  • 14篇会议论文
  • 2篇专利

领域

  • 34篇电气工程
  • 9篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 36篇电池
  • 32篇太阳电池
  • 16篇砷化镓
  • 10篇太阳能
  • 10篇GAAS太阳...
  • 9篇太阳能电池
  • 8篇叠层
  • 6篇电流
  • 6篇钙钛矿
  • 5篇电池效率
  • 5篇叠层电池
  • 5篇钙钛矿型
  • 5篇薄膜太阳电池
  • 5篇GAAS
  • 4篇液相外延
  • 3篇电压
  • 3篇多晶
  • 3篇化合物半导体
  • 3篇减反射膜
  • 3篇光伏

机构

  • 42篇中国科学院
  • 5篇云南师范大学
  • 5篇中国地质大学...
  • 1篇清华大学
  • 1篇云南大学
  • 1篇上海空间电源...

作者

  • 42篇向贤碧
  • 22篇廖显伯
  • 6篇韩培德
  • 6篇郝会颖
  • 6篇常秀兰
  • 4篇袁海荣
  • 4篇许颖
  • 3篇李标
  • 3篇陈庭金
  • 3篇曾湘波
  • 3篇陆大成
  • 3篇杜文会
  • 2篇刁宏伟
  • 2篇孔光临
  • 2篇徐艳月
  • 1篇林兰英
  • 1篇韩和相
  • 1篇张世斌
  • 1篇刘爱民
  • 1篇游志朴

传媒

  • 14篇太阳能
  • 4篇太阳能学报
  • 2篇Journa...
  • 2篇第13届中国...
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇云南师范大学...
  • 1篇物理学报
  • 1篇电子学报
  • 1篇云南大学学报...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇中国建设动态...
  • 1篇第八届全国光...
  • 1篇中国第七届光...
  • 1篇中国太阳能学...

年份

  • 2篇2016
  • 13篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2008
  • 1篇2006
  • 3篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 4篇2000
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 1篇1990
  • 1篇1983
42 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
GaAs基系Ⅲ一V族叠层电池的研究
以GaAS材料为基础组成的Ⅲ—V族化合物叠层电池能获得很高的光电转换效率.这种类型的电池主要由两种材料体系组成,一种是AlGaAs/GaAs叠层电池,另一种是GaInP/GaAs叠层电池,后者是一种较新的材料体系.国外从...
向贤碧常秀兰廖显伯杜文会
文献传递
Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)
2015年
聚光可利用相对便宜的光学系统,成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强,相应增加电池的输出功率,降低光伏发电系统的成本。而且,聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下,在一定光强范围,电池的短路电流与光强呈正比,而开路电压随光强呈对数式增长。
向贤碧廖显伯
关键词:太阳电池砷化镓光伏发电系统光学系统输出功率短路电流
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)
2015年
在上世纪60年代,人们由GaAs材料的优良性质预见到,GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大,大部分光生载流子被表面复合中心复活,不能形成光生电流。
向贤碧廖显伯
关键词:GAAS太阳电池砷化镓光生载流子P-N结
等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼被引量:7
2004年
用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 。
曾湘波廖显伯王博刁宏伟戴松涛向贤碧常秀兰徐艳月胡志华郝会颖孔光临
关键词:纳米线PECVD法PN结掺硼硼烷硅源
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)被引量:2
2015年
进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结叠层聚光电池。这里以三结叠层电池为例来说明叠层电池的工作原理。选取3种半导体材料,如GaInP、GaInAs和Ge,
向贤碧廖显伯
关键词:太阳电池化合物半导体砷化镓叠层电池GAINAS半导体材料
p/n型GaInP2/GaAs叠层电池中GaInP2顶电池的研究
本文报道了作者近两年来对p-on-n型GaInP/GaAs叠层电池的研究结果,重点介绍利用场助收集模型对GaInP顶电池进行的模拟研究工作和取得的实验结果。根据模拟分析,找到了影响GaInP顶电池光伏性能的主要因素,提出...
向贤碧廖显伯张忠卫陆剑锋王亮新池卫英陈鸣波
关键词:太阳电池
文献传递
硅纳米线的制备方法
本发明属于纳米器件制造工艺技术领域,具体涉及硅纳米线一种制备工艺。其特征在于,在硅衬底上形成硅金纳米合金粒或金溶胶粒,从而可能在PECVD系统下生长硅纳米线。具体步骤为:(1)在硅衬底上用物理方法形成硅金纳米粒,或者用化...
曾湘波廖显伯刁宏伟向贤碧孔光临徐艳月张世斌
文献传递
A1_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池的结构观察和器件性能
1996年
运用不同的液相外延(LPE)生长工艺,制备了两种结构的AlxGa1-xAs/GaAs太阳电池,并结合透射电子显微镜(TEM)等技术分析了外延工艺对器件性能的影响。结果表明,与过冷生长技术相比,回熔工艺对衬底质量的要求不严格,且能形成有利于光生少子被收集的带隙结构。在工艺优化的情况下,我们所获得太阳电池的全面积转换效率在AM0,1sun条件下为18.78%(0.72cm2),在AM1.5,lsun条件下为23.17%。
李标向贤碧许颖费雪英
关键词:太阳能电池液相外延砷化镓
Al_xGa_(1-x)As/GaAs太阳电池减反射膜的研究被引量:1
1995年
以太阳电池的短路电流积分表达式为依据,应用减反射膜的光学原理,对具有阳极氧化、SiO和SiO2三种减反射膜的A1xGa1-xAs/GaAs太阳电池分别进行了反射光谱、短路电流、开路电压的实验测试。研究表明,阳极氧化膜、SiO膜具有良好的减反射性能,而SiO2膜的减反射性能较差。
周滨向贤碧费雪英许颖
关键词:太阳能电池光谱响应减反射膜
MgF2/ZnS双层减反射膜的研制
制作减反射膜是增加光的入射,从而提高太阳电池的光生电流和效率的常用方法。 减反射膜的基本原理是利用光波在减反射膜上下表面反射所产生的光程差使得两束反射光干涉相消,从而减弱反射,提高光的入射。在太阳电池材料和入射光谱确定的...
常秀兰向贤碧袁海荣
文献传递
共5页<12345>
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