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梁松

作品数：154 被引量：26H指数：4
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 128篇专利
  • 13篇期刊文章
  • 12篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 69篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 104篇激光
  • 104篇激光器
  • 57篇波导
  • 32篇波长
  • 26篇光栅
  • 26篇半导体
  • 25篇半导体激光
  • 25篇半导体激光器
  • 23篇调制
  • 22篇电吸收
  • 22篇电吸收调制
  • 21篇刻蚀
  • 19篇反馈激光器
  • 18篇单片
  • 18篇单片集成
  • 18篇盖层
  • 16篇调谐
  • 16篇分布反馈激光...
  • 15篇光电
  • 15篇波导结

机构

  • 154篇中国科学院
  • 2篇中国科学院大...
  • 1篇北京工业大学
  • 1篇清华大学
  • 1篇浙江工业大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 154篇梁松
  • 79篇朱洪亮
  • 52篇王圩
  • 44篇赵玲娟
  • 25篇张灿
  • 24篇周代兵
  • 11篇陆丹
  • 10篇王宝军
  • 8篇韩良顺
  • 8篇安欣
  • 8篇孔端花
  • 8篇许俊杰
  • 7篇潘教青
  • 7篇马丽
  • 7篇贺卫利
  • 6篇边静
  • 5篇余力强
  • 4篇韩培德
  • 4篇吉晨
  • 4篇林学春

传媒

  • 5篇光电子．激光
  • 3篇中国激光
  • 3篇第13届全国...
  • 2篇Journa...
  • 2篇物理学报
  • 2篇全国第14次...
  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇光子学报
  • 1篇2015中国...
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 5篇2024
  • 14篇2023
  • 17篇2022
  • 8篇2021
  • 16篇2020
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
  • 10篇2015
  • 11篇2014
  • 10篇2013
  • 11篇2012
  • 7篇2011
  • 12篇2010
  • 3篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
共 154 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双端面可调谐激光器及其制备方法
本发明提供了一种双端面可调谐激光器及其制备方法。本发明提出的双端面可调谐激光器，包括：位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，光栅区位于InP衬底中段，两个相位区位于光栅区两侧，两个增益区分别位于两个相位区...
周代兵安欣陆丹梁松赵玲娟王圩
单片集成光收发芯片及其制备方法
本公开提供了一种单片集成光收发芯片及其制备方法，该芯片包括：衬底、无源波导层、激光器材料层、探测器材料层和接触层，从下至上分布；无源波导层包括无源波导区、激光器区和探测器区；无源波导区包括合/分波器、第一连接波导、第二连...
梁松剌晓波
文献传递
一种晶体管激光器及其制作方法
本发明公开了一种晶体管激光器及其制作方法。所述方法包括：选择一衬底；依次生长缓冲层、下集电极层、集电极层、基极层及电流阻挡层；选择性腐蚀掉一部分电流阻挡层材料；生长有源层、发射极层及接触层；腐蚀制作发射极脊波导至电流阻挡...
梁松朱洪亮
一种制作黑硅材料的方法
本发明公开了一种利用波长为1064nm和532nm两种激光器光源扫描制作黑硅材料的方法，该方法包括：步骤1：将硅片置于硫系物质环境中；步骤2：利用经过透镜聚焦的波长为1064nm和532nm的两种激光器光源，先后扫描辐照...
朱洪亮梁松韩培德林学春王宝华
MOCVD选择区域外延和对接生长研究
采用低压MOCVD技术,研究了选择区域外延(SAG)和对接生长(BJ)技术。掩模宽度、闻距和生长条件对波长偏移量和材料质量的影响具有一定的规律,灵活运用SAG和BJ技术是实现单片光电子集成器件的关键。
孔端花梁松潘教青刘扬汪洋朱洪亮
关键词：MOCVD
一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法
本发明公开了一种分布布拉格反馈可调谐激光器及其制作方法，方法包括如下步骤：在一衬底上依次生长下波导层、多量子阱有源区、上波导层；获得分布布拉格反馈区及相位区材料，其带隙波长小于激光器发光波长；在反馈区制作光栅；在整个管芯...
梁松张灿于立强赵玲娟朱洪亮吉晨王圩
文献传递
可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法
一种可调谐激光器与光放大器单片集成器件的制作方法，包括如下制作步骤：选择一衬底；在该衬底上外延生长增益区量子阱材料层，该增益区量子阱材料层分为第一和第二光栅区，增益区，相位区以及放大区；选择性腐蚀掉第一和第二光栅区，相位...
梁松赵玲娟朱洪亮王圩
文献传递
DBR激光器及其制作方法
本申请提供了一种DBR激光器的制作方法，应用于半导体技术领域，采用带胶剥离低温生长的二氧化硅的工艺方法，制备具有不同光栅耦合系数的DBR激光器，不同光栅耦合系数的反射谱可以实现强DL效应的同时，减少往返增益的稀释效应，克...
朱旭愿梁松
双模激光器THz泵浦源的制作方法
一种双模激光器THz泵浦源的制作方法，包括如下制作步骤：利用选择区域外延生长技术或对接生长技术在衬底上获得增益区量子阱的材料、放大器区量子阱的材料及调制器区量子阱的材料；利用量子阱混杂技术或对接生长技术，在衬底上获得获得...
梁松刘云龙
文献传递
可调谐电吸收调制激光器及其制备方法
本发明提供了一种可调谐电吸收调制激光器，包括：位于同一衬底、等高且依次贴合的第一调制器区、第一前光栅区、第一增益区、第一相位区、后光栅区、第二相位区、第二增益区、第二前光栅区和第二调制器区，其中，第一增益区和第二增益区，...
周代兵安欣贺卫利梁松赵玲娟王圩
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