李小换
- 作品数：4 被引量：9H指数：2
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- AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长
- 当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的村底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积Al...
- 王磊冷杉王波黄安平李小换朱满康严辉
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 文献传递
- ZnO和AlN薄膜结构及其性能的研究
- 该文采用磁控溅射方法制备出高质量的ZnO和AlN薄膜,用XRD、SEM、XPS、AFM和红外、紫外分光光度计等测试手段对沉积的薄膜进行了表征.结果表明,对于ZnO薄膜,薄膜的择优取向性与衬底温度、溅射气压、靶基距等工艺参...
- 李小换
- 关键词：ZNO薄膜ALN薄膜声表面波场发射
- 文献传递
- AlN/Si衬底上ZnO薄膜的择优取向生长
- 2004年
- 当ZnO薄膜直接沉积在Si衬底上时,由于ZnO与Si的晶格失配度大,不易于获得高质量的ZnO薄膜.因此,选择合适的衬底材料沉积ZnO薄膜,对提高其质量非常重要.本文采用射频磁控溅射法,通过在Si(100)衬底上预沉积AlN作为ZnO薄膜生长的缓冲层,获得了择优取向的ZnO薄膜.我们还讨论了ZnO薄膜在AlN/Si衬底上的取向生长机理.
- 王磊冷杉王波黄安平李小换朱满康严辉
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射
- 衬底温度对ZnO薄膜氧缺陷的影响被引量：6
- 2004年
- 采用射频磁控溅射在石英玻璃和单晶硅Si(100)衬底上制备了ZnO薄膜,研究了衬底温度对ZnO薄膜中氧缺陷的影响。实验发现,ZnO薄膜c轴取向性随温度的升高而增强;当衬底温度达到550°C时,XRD谱上仅出现一个强的(002)衍射峰和一个弱的(004)衍射峰,显示ZnO具有优异c轴取向性。同时,随着温度的升高,ZnO薄膜的紫外透射截止边带向高波长方向漂移,其电导率也随衬底温度的升高逐渐增大,表明薄膜中的氧缺陷逐渐增多。这种氧缺陷是由于ZnO的氧平衡分压高于Zn所致,可通过提高溅射气体中氧含量来改善。
- 李小换朱满康侯育冬王波严辉
- 关键词：ZNO薄膜射频溅射衬底温度氧缺陷
