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王艳花

作品数：21 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇中文专利

领域

  • 6篇自动化与计算...

主题

  • 18篇存储器
  • 6篇金属
  • 5篇纳米
  • 5篇半导体
  • 4篇电镀
  • 4篇电镀铜
  • 4篇电阻
  • 4篇调制
  • 4篇镀铜
  • 4篇有机半导体
  • 4篇势垒
  • 4篇阻挡层
  • 4篇晶体管
  • 4篇扩散阻挡层
  • 4篇非挥发性
  • 4篇CMOS工艺
  • 3篇导电
  • 3篇电极
  • 3篇氧化物
  • 3篇金属氧化物

机构

  • 21篇中国科学院微...

作者

  • 21篇王艳花
  • 21篇刘明
  • 15篇龙世兵
  • 10篇刘琦
  • 10篇吕杭炳
  • 8篇牛洁斌
  • 7篇霍宗亮
  • 6篇商立伟
  • 6篇姬濯宇
  • 5篇韩买兴
  • 5篇张康玮
  • 5篇王宏
  • 5篇陈映平
  • 5篇刘欣
  • 4篇张满红
  • 4篇刘璟
  • 3篇张森
  • 3篇王艳
  • 2篇连文泰
  • 2篇陈宝钦

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 2篇2013
  • 15篇2012
共 21 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
忆阻器及其制作方法
公开了一种忆阻器包括：上导电电极；下导电电极；以及位于所述上导电电极和所述下导电电极之间的作为存储介质层的功能薄膜。还公开一种忆阻器的制作方法包括：在绝缘衬底上形成下导电电极；在下导电电极上淀积作为存储介质层的功能薄膜；...
刘琦刘明龙世兵吕杭炳王艳花王艳张森李颖涛
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阻变型随机存储单元及存储器
本发明公开了一种阻变型随机存储单元及存储器。该存储单元由上电极、阻变功能层、中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成，其中上电极、阻变功能层和中间电极构成阻变存储部分，中间电极、非对称隧穿势垒层和下电极构成选通功能部分，阻...
霍宗亮刘明张满红王艳花龙世兵
非挥发性存储单元及存储器
本发明公开了一种非挥发性存储单元及存储器。该存储单元由上至下依次包括：上电极、非对称隧穿势垒结构和下电极，其中该非对称隧穿势垒结构用于实现对穿过非挥发性存储单元的正、反向隧穿电流的整流调制。本发明存储单元采用非对称隧穿势...
霍宗亮刘明刘璟王艳花龙世兵
集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错...
吕杭炳刘明龙世兵刘琦王艳花牛洁斌
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集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的电阻存储器及其制备方法，该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成与钨栓塞部分错...
吕杭炳刘明龙世兵刘琦王艳花牛洁斌
集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法
本发明涉及微电子技术领域，具体是一种集成标准CMOS工艺的金属氧化物电阻存储器及其制备方法。该方法包括：在常规CMOS工艺完成前段工艺至钨栓塞形成后，沉积金属层间介质层；之后将存储阵列部分钨栓塞上方的介质层打开，形成第一...
吕杭炳刘明龙世兵刘琦王艳花牛洁斌
有机场效应晶体管存储器的编程方法
本发明公开了一种有机场效应晶体管存储器的编程方法。该编程方法中，在对有机场效应晶体管存储器进行编程时施加光照，这有助于增加有机场效应晶体管存储器中存储的载流子数目和增大沟道的开态电流，从而可以提高有机场效应晶体管存储器的...
刘明王宏姬濯宇商立伟陈映平王艳花韩买兴刘欣
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一种双极晶体管选通的阻变存储器、阵列及其制造方法
本发明公开了一种多发射极的双极晶体管及其选通的阻变存储器及制造方法，所述晶体管包括：集电极；形成于所述集电极上的基极；形成于所述基极上的至少两个发射极，所述发射极间隔排列；其中，所述基极是所有所述发射极的共有基极，所述集...
刘明张康玮龙世兵刘琦吕杭炳王艳花
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阻变存储器及其制造方法
本发明实施例公开了一种阻变存储器及其制造方法，所述存储器包括：选通晶体管；下电极，所述下电极同选通晶体管电连接；下电极之上凸起的纳米电极；下电极和纳米电极之上的存储介质层；存储介质层之上的上电极。通过凸起的纳米电极增强存...
龙世兵刘明刘琦吕杭炳牛洁斌王艳花李颖弢张森王艳连文泰张康玮王明张满红霍宗亮谢常青刘璟余兆安李冬梅
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