牛洁斌
- 作品数：131 被引量：73H指数：5
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学一般工业技术更多>>
- 超低功耗阻变非挥发性存储器、其制作方法及操作方法
- 本发明公开了一种超低功耗阻变非挥发性存储器，包括：Si衬底；形成在该Si衬底之上的SiO<Sub>2</Sub>层；以及在该SiO<Sub>2</Sub>层表面形成的四端电极结构；其中，该四端电极结构包括第一至第四电极，...
- 孙海涛杨洪璋刘琦吕杭柄牛洁斌张培文路程李友龙世兵谢常青刘明
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- 一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法
- 本发明公开了一种采用X射线曝光制作声表面波器件的方法，该方法是利用电子束光刻在镂空的聚酰亚胺自支撑薄膜上制作叉指换能器的母版，再利用X射线曝光在压电衬底上获得叉指换能器的电子抗蚀剂凹立图形，然后再用剥离工艺制作各种声表面...
- 赵以贵李晶晶朱效立牛洁斌刘明
- 文献传递
- 一种纳米尺度图形的制作方法
- 本发明是关于一种纳米尺度图形的制作方法，该方法包括以下步骤：A、对待处理的衬底进行表面清洁及热处理；B、在衬底表面上涂敷电子束光刻抗蚀剂层，并进行曝光前的预处理；C、对上述的电子束光刻抗蚀剂层按照预设的图形在单线直写曝光...
- 赵珉陈宝钦刘明牛洁斌
- 文献传递
- 电子束光刻在纳米加工及器件制备中的应用被引量：7
- 2008年
- 电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电子束光刻系统和电子显微镜系统的电子束光刻技术实验室,利用电子束直写系统所开展的纳米器件和纳米结构制造工艺技术方面的研究。重点阐述了如何利用电子束直写技术实现纳米器件和纳米结构的电子束光刻。针对电子束光刻效率低和电子束光刻邻近效应等问题所采取的措施;采用无宽度线曝光技术和高分辨率、高反差、低灵敏度电子抗蚀剂相结合实现电子束纳米尺度光刻以及采用电子束光刻与X射线曝光相结合的技术实现高高宽比的纳米尺度结构的加工等具体工艺技术问题展开讨论。
- 陈宝钦赵珉吴璇牛洁斌刘键任黎明王琴朱效立徐秋霞谢常青刘明
- 关键词：电子束光刻电子束直写
- 反射式单级衍射光栅及其制造方法
- 本发明提供一种反射式单级衍射光栅及其制造方法。所述反射式单级衍射光栅在基底上随机分布光栅图形，所述光栅图形为由两层材料组成的深槽结构，所述深槽结构的下层材料为硅基底，上层材料为高反射率膜层，所述深槽结构的深度和宽度之比值...
- 朱效立谢常青刘明牛洁斌华一磊施百龄
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- 功率增益截止频率为183GHz的In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs(英文)被引量：1
- 2007年
- 通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As HEMT.该fmax为国内HEMT器件最高值.还报道了器件的结构、制备工艺以及器件的直流和高频特性.
- 刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春
- 关键词：高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)被引量：1
- 2007年
- 报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.
- 刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春
- 关键词：截止频率高电子迁移率晶体管INGAAS/INALASINP
- 光学和电子束曝光系统之间的匹配与混合光刻技术
- 中国科学院微电子研究所微细加工与纳米技术研究室拥有一个由美国GCA3600F图形发生器、GCA3696分步重复精缩机、日本JEOLJBX6AⅡ电子束曝光系统和JEOLJBX5000LS电子束光刻系统及美国应用材料公司捐赠...
- 陈宝钦任黎明胡勇龙世兵陆晶杨清华张立辉牛洁斌刘明徐秋霞薛丽君李金儒汤跃科赵珉刘珠明王德强
- 关键词：微光刻技术电子束直写
- 文献传递
- 电子束直写技术在金刚石声表面波器件制作中的应用
- 随着移动通讯系统的迅速发展,声表面波器件(SAW)使用频率不断提高,从最初的几MHz到现在的几GHz<'[2]>,其线宽也进入亚微米、深亚微米阶段,如何制得精细的叉指换能器电极成为声表器件制作的关键.本文重点介绍采用具有...
- 牛洁斌陈菁菁刘明陈宝钦王云翔
- 关键词：电子束直写声表面波器件叉指换能器
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- 大高宽比硬X射线波带片制作及聚焦测试被引量：4
- 2017年
- 为得到同步辐射光源硬X射线波段(>2keV)需要的高宽比高分辨率波带片,本文利用高加速电压(100kV)电子束光刻配合Si3N4镂空薄膜直写来减少背散射的方法,对硬X射线波带片制作技术进行了蒙特卡洛模拟和电子束光刻实验。模拟结果显示:Si_3N_4镂空薄膜衬底可以有效降低电子在抗蚀剂中传播时的背散射,进而改善高密度大高宽比容易引起的结构倒塌和粘连问题。通过调整电子束的曝光剂量,在500nm厚的镂空Si_3N_4薄膜衬底上制备出最外环宽度为150nm、金吸收体的厚度为1.6μm,高宽比大于10的硬X射线波带片。同时,引入随机支撑点结构,实现了波带片结构自支撑,提高了大高宽比波带片的稳定性。将利用该工艺制作的波带片在北京同步辐射装置X射线成像4W1A束线8keV能量下进行了聚焦测试,得到清晰的聚焦结果。
- 李海亮史丽娜牛洁斌牛洁斌王冠亚
- 关键词：电子束光刻电子束光刻
