管昌雨
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- 反应磁控溅射制备组分可控的B-C-N薄膜
- 采用射频磁控溅射方法,以硼和石墨为溅射靶材,通过调控工作气压、基片温度、溅射功率、CH4/N2/Ar气体流量比一系列实验参数,在Si(100)基片上制备不同组分的非晶B-C-N薄膜。利用傅里叶变换红外光谱(FTIR), ...
- 管昌雨
- 关键词：磁控溅射
- 文献传递
- 用不同靶材制备B-C-N薄膜及其红外表征
- 2010年
- 采用射频磁控溅射方法,分别利用六方氮化硼(h-BN)、硼(B)和石墨(C)靶,在氩气和氮气的氛围中,沉积B-C-N薄膜.傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析表明:在1200～1800cm-1和1000～1750cm-1处出现了较宽的吸收峰;在2200cm-1处出现了CN键的特征吸收峰.表明在沉积的薄膜中,C原子与N原子相结合.分别溅射C和h-BN靶,红外光谱分析表明,B—C键在1100cm-1处未产生吸收峰,即利用h-BN和C靶沉积的B-C-N薄膜倾向于相分离,利用B和C靶沉积的B-C-N薄膜中的原子实现了原子量级的化合.
- 王健白亦真张东潘丽柳浩管昌雨吴占玲赵纪军
- 关键词：傅里叶变换红外光谱射频磁控溅射
