赵寄
- 作品数：2 被引量：4H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 应变硅pMOS反型层中空穴迁移率k·p及蒙特卡罗模拟研究被引量：2
- 2006年
- 对应变硅pMOS反型层中的空穴迁移率进行了理论研究.使用应力相关的6能带k·p模型,自洽地求解垂直于沟道方向的一维薛定谔方程与泊松方程,获得反型层中二维空穴气的能带结构.采用蒙特卡罗方法对单轴压应力和双轴张应力情况下的空穴迁移率进行了模拟研究,得出了沟道迁移率随垂直于沟道电场变化的曲线,并与常规的非应变硅pMOS迁移率进行了比较.模拟结果显示:无论是单轴压应力还是双轴张应力,都使得空穴迁移率增大.当单轴压应力沿着[110]沟道时,迁移率增大的幅度最大,平均增幅可达到170%左右.
- 赵寄邹建平谭耀华余志平
- 关键词：应变硅迁移率
- 高k栅介质MOSFET电特性的模拟分析被引量：2
- 2004年
- 对高k栅介质MOSFET栅极漏电进行研究 ,确定栅介质的厚度 ,然后使用PISCES Ⅱ模拟器对高k栅介质MOSFET的阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff进行了详细的分析研究。通过对不同k值的MOSFET栅极漏电、阈值电压、亚阈斜率和Idsat/Ioff的综合考虑 ,得出选用k <5 0且Tk/L≤ 0 .2的栅介质能获得优良的小尺寸MOSFET电性能。
- 陈卫兵徐静平邹晓李艳萍赵寄
- 关键词：高K栅介质金属-氧化物-半导体场效应晶体管阈值电压
