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邹晓

作品数:31 被引量:53H指数:4
供职机构:华中科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术理学电气工程更多>>

文献类型

  • 28篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 23篇电子电信
  • 7篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 11篇栅介质
  • 7篇界面层
  • 7篇MOS电容
  • 6篇网络
  • 5篇高K栅介质
  • 5篇MOS
  • 4篇阈值电压
  • 4篇MOSFET
  • 3篇电特性
  • 3篇阈值电压模型
  • 2篇单片
  • 2篇单片机
  • 2篇单片机控制
  • 2篇电路
  • 2篇短沟道
  • 2篇短沟道效应
  • 2篇势垒
  • 2篇数据包
  • 2篇通信
  • 2篇退火

机构

  • 21篇华中科技大学
  • 14篇江汉大学
  • 6篇湖北工学院
  • 3篇香港大学
  • 1篇武汉科技学院
  • 1篇许昌职业技术...

作者

  • 31篇邹晓
  • 19篇徐静平
  • 8篇陈卫兵
  • 7篇张明武
  • 6篇李艳萍
  • 5篇肖宏年
  • 4篇李春霞
  • 3篇黎沛涛
  • 2篇苏绍斌
  • 2篇许胜国
  • 2篇涂昌培
  • 2篇朱秋玲
  • 1篇吴海平
  • 1篇楚惟善
  • 1篇韩弼
  • 1篇汪礼
  • 1篇赵寄
  • 1篇刘璐
  • 1篇王九红
  • 1篇张雪锋

传媒

  • 7篇固体电子学研...
  • 4篇江汉大学学报
  • 3篇湖北工学院学...
  • 3篇微电子学
  • 3篇压电与声光
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报
  • 1篇华中科技大学...
  • 1篇计算机工程与...
  • 1篇微机发展
  • 1篇电子器件
  • 1篇江汉大学学报...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2010
  • 3篇2009
  • 4篇2008
  • 4篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
  • 5篇2001
  • 1篇1999
31 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
HfTiO高k栅介质Ge MOS电容的制备及特性分析
2007年
采用反应磁控溅射方法和湿氮退火工艺在Ge衬底上分别制备了HfO2和HfTiO高介电常数(k)栅介质薄膜。电特性测量表明,HfTiO样品由于Ti元素的引入有效提高了栅介质的介电常数,减小了等效氧化物厚度,但同时也使界面态密度有所增加。控制HfTiO中Ti的含量及表面预处理工艺有望改善HfTiO/Ge界面质量。
朱秋玲徐静平邹晓黎沛涛李春霞
关键词:HFO2介电常数界面态密度
HfTiO高κ栅介质Ge MOS电容特性研究
2008年
采用反应磁控共溅射方法在Ge衬底上制备亚-nm等效氧化物厚度(EOT)的HfTiO高κ栅介质薄膜,研究了湿N2和干N2气氛退火对GeMOS电容电特性的影响。隧穿电子显微镜、椭偏仪、X射线光电子频谱、原子力显微镜以及电特性的测量结果分别表明,与干N2退火比较,湿N2退火能明显抑制不稳定的低κGeOx界面层的生长,从而减小栅介质厚度,降低栅介质表面粗糙度,有效提高介电常数,改善界面质量和栅极漏电流特性,这都归因于GeOx的易水解性。还研究了Ti靶溅射功率对HfTiO栅介质GeMOS器件性能的影响。
邹晓徐静平
关键词:界面层
高κ栅介质Ge基MOS器件模型及制备工艺研究
随着互补金属氧化物半导体(CMOS)器件特征尺寸的不断缩小,Si基MOS器件的发展达到了其物理极限,新的沟道材料,如应力Si、应力SiGe合金、Ge衬底等,因其较高的载流子迁移率而被采用来提高器件的驱动性能。最近几年,高...
邹晓
文献传递
基于混杂模式的网络监视系统设计被引量:3
2003年
分析了混杂模式的特点,介绍了在VisualC环境下一种网络监视系统的设计方法,该系统用以实现对网络数据及网络数据包的监测。
邹晓王九红
关键词:系统设计数据包网卡
网络入侵检测技术的分析与实现被引量:1
2001年
介绍了网络入侵的几种检测方法,重点分析了几种在网络上传输的数据包结构,以及对这些数据包的检测手段.
邹晓肖宏年张明武
关键词:数据包入侵检测TCP包IP包
表面预处理对Ge MOS电容特性的影响被引量:2
2009年
通过不同气体(NO、N2O、NH3)对Ge衬底进行表面预处理,生长GeOxNy界面层,然后采用反应磁控溅射方法生长HfTiO薄膜,制备HfTiO/GeOxNy叠层高k栅介质GeMOS电容,研究表面预处理对界面层以及界面层对器件性能的影响。隧穿电子扫描电镜(TEM)、栅电容-电压(C-V)栅极漏电流-电压(J-V)的测量结果表明,湿NO表面预处理能生长高质量的界面层,降低界面态密度,抑制MOS电容的栅极漏电流密度。施加高场应力后,湿NO表面预处理样品的平带漂移及漏电流增加最小,表示器件的可靠性得到有效增强。
邹晓蒋万翔徐静平
关键词:界面层磁控溅射法
SiGe沟道pMOSFET阈值电压模型被引量:2
2006年
通过求解泊松方程,综合考虑短沟道效应和漏致势垒降低效应,建立了小尺寸S iG e沟道pM O SFET阈值电压模型,模拟结果和实验数据吻合良好。模拟分析表明,当S iG e沟道长度小于200 nm时,阈值电压受沟道长度、G e组份、衬底掺杂浓度、盖帽层厚度、栅氧化层厚度的影响较大。而对于500 nm以上的沟道长度,可忽略短沟道效应和漏致势垒降低效应对阈值电压的影响。
邹晓徐静平李艳萍陈卫兵苏绍斌
关键词:阈值电压短沟道效应
先进的小尺寸MOS器件高k栅介质及界面特性研究
徐静平刘璐邹晓季峰汪礼
MOS器件尺寸的不断等比缩小一直是CMOS集成电路领域的国际前沿,是提高工作速度、降低功耗,提高集成密度的关键所在。器件尺寸的缩小面临着栅极漏电增加,短沟效应增强,界面特性恶化,器件可靠性降低等诸多问题,其中核心问题是栅...
关键词:
关键词:集成电路存储器
深亚微米MOSFET阈值电压模型被引量:3
2005年
文章在分析短沟道效应和漏致势垒降低(DIBL)效应的基础上,通过引入耦合两效应的 相关因子,建立了高k栅介质MOSFET阈值电压的器件物理模型。模拟分析了各种因素对阈值电 压漂移的影响,获得了最佳的k值范围。
李艳萍徐静平陈卫兵邹晓
关键词:MOSFET短沟道效应高K栅介质
基于单片机控制的CSMA/CD协议的设计被引量:5
2002年
通过分析CSMA/CD协议 ,利用MCS5 1单片机控制串口及 82 37实现CSMA/CD协议。
肖宏年邹晓张明武
关键词:单片机控制CSMA/CD协议局域网
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