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雷云

作品数：14 被引量：13H指数：2
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信理学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇门极
  • 4篇门极换流晶闸...
  • 4篇晶闸管
  • 4篇换流
  • 4篇集成门极换流...
  • 4篇高压器件
  • 4篇隔离区
  • 3篇芯片
  • 3篇硅芯片
  • 3篇封装
  • 3篇封装方法
  • 3篇IGCT
  • 3篇掺杂
  • 2篇整体浇筑
  • 2篇数量级
  • 2篇碳化硅
  • 2篇住所
  • 2篇钼板
  • 2篇铝源
  • 2篇晶片

机构

  • 14篇株洲南车时代...

作者

  • 14篇雷云
  • 7篇陈芳林
  • 6篇蒋谊
  • 6篇张明
  • 4篇张弦
  • 4篇丁荣军
  • 4篇唐龙谷
  • 4篇刘可安
  • 4篇曾文彬
  • 3篇彭勇殿
  • 3篇彭文华
  • 3篇刘国友
  • 3篇刘博
  • 3篇罗海辉
  • 2篇刘旭君
  • 2篇颜骥
  • 1篇陈彦
  • 1篇余伟
  • 1篇熊思宇
  • 1篇潘学军

传媒

  • 4篇大功率变流技...

年份

  • 2篇2015
  • 2篇2013
  • 4篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
4500V等级非对称IGCT器件及配套FRD研制
丁荣军张明吴煜东张顺彪戴小平李继鲁蒋谊陈芳林颜骥陈彦严冰雷云
电力电子技术是21世纪最具活力的高新技术，是建设节约型社会、促进国民经济发展的重要支撑技术之一，已广泛地应用和渗透至电机变频调速、新能源、电能质量管理、柔性输电、军工装备全电化等领域，对中国传统工业和高新技术产业的发展将...
关键词：
关键词：电力电子器件半导体器件
一种扩散铝的方法
本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二...
张明蒋谊彭文华雷云刘旭君
文献传递
逆导型GCT器件结构分析及制造工艺被引量：5
2009年
逆导型IGCT因采用透明阳极、缓冲层、沟槽隔离和门极硬驱动等半导体新型技术而兼具GTO及IGBT的优点,文章重点分析其结构特点及制造工艺。
雷云蒋谊陈芳林
关键词：IGCT透明阳极缓冲层沟槽隔离
一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
文献传递
1145RC-GCT局部电子辐照技术被引量：1
2010年
描述局部电子辐照技术在一种新型半导体器件——1145RC-GCT中的应用,介绍了局部电子辐照技术的实现方法及控制手段。
蒋谊雷云彭文华
碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块
本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收...
丁荣军罗海辉刘博曾文彬雷云吴煜东刘国友彭勇殿张明
一种碳化硅功率器件的封装方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件的封装方法，选择覆铜的氮化铝作衬板材料，衬板上设有一层钼片作为焊接面；选择镀镍的铝碳化硅作基板材料，该封装方法包括以下步骤：将碳化硅芯片焊接在衬板的焊接面上，将衬板焊接在基板上；将引线的一端与...
丁荣军罗海辉刘博曾文彬雷云吴煜东刘国友彭勇殿张明
文献传递
一种扩散铝的方法
本发明公开了一种扩散铝的方法，包括：清洗多片硅陪片和具有硼扩散层的多片硅晶片；为每片硅晶片具有硼扩散层的表面配置硅陪片，并且叠片式排列所述多片硅晶片和多片硅陪片；将第一铝源壶、所述叠片式排列的多片硅晶片和多片硅陪片、第二...
张明蒋谊彭文华雷云刘旭君
文献传递
一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
文献传递
一种逆导型集成门极换流晶闸管
本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管，包括：GCT、FRD，以及GCT和FRD之间的隔离区。GCT在纵向由上至下依次包括GCT的阴极N+掺杂区、GCT的P型基区、N-衬底、N′缓冲层和GCT的P+阳极区。FRD在纵向...
陈芳林刘可安唐龙谷张弦雷云
文献传递
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