- 一种具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管
- 2021年
- 基于GaN/AlGaN/GaN-on-Si材料,研制了一种高压低功耗新型肖特基二极管(SBD)。由于异质结的极化效应,在AlGaN/GaN界面会产生高浓度的二维电子气(2DEG),在GaN/AlGaN界面产生二维空穴气(2DHG)。首先,在正向阻断时,随着偏压的升高,2DEG和2DHG被完全耗尽,在界面处留下固定的正/负极化电荷而构成极化结,电力线从正电荷指向负电荷,使得漂移区内的电场分布较均匀,提高了二极管的击穿电压。其次,肖特基二极管的阳极GaN/AlGaN层被完全刻蚀,获得了低的开启电压。最后,开发了低损伤ICP刻蚀工艺,降低了肖特基接触界面的缺陷,减小了反向泄漏电流和开启电压。实验结果表明,二极管的击穿电压为1109V@1mA/mm,开户电压为0.68V,比导通电阻为1.17mΩ·cm^(2),Baliga FOM值为1051MW/cm^(2)。该SBD兼具高击穿电压和低开启电压的特点,均匀性好。
- 韩春林孙涛周建军
- 关键词：GAN功率二极管肖特基二极管
- 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件被引量：2
- 2009年
- 优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。
- 韩春林邹鹏辉高建峰薛舫时张政耿涛陈辰
- 关键词：电子束光刻空气桥
- SiC MESFET微波功率器件的研制(英文)被引量：1
- 2007年
- 利用本实验室生长的4H-SiC外延材料开展了SiC微波功率器件的研究.通过对欧姆接触和干法刻槽工艺的优化,研制出高性能的SiCMESFET.利用1mm栅宽SiCMESFET制成的微波功率放大器在2GHz64V工作时,连续波输出功率达4·09W,功率增益为9·3dB,PAE为31·3%.文中还给出了SiC功率放大器在微波大信号工作时的稳定性的初步测试结果.
- 柏松陈刚张涛李哲洋汪浩蒋幼泉韩春林陈辰
- 关键词：碳化硅MESFET微波功率放大器
- 4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究
- 对于栅挖槽的4H-SiC MESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀(RIE),界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要.反应离子刻蚀的SiC表面平滑不是很好,刻蚀损伤严重,选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体...
- 柏松韩春林陈刚
- 关键词：反应离子刻蚀肖特基势垒
- 文献传递
- InP基共振遂穿二极管研究
- 在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RD器件。在室温下测试了器...
- 韩春林薛舫时高建峰陈辰
- 关键词：空气桥MATLAB电子束光刻分子束外延
- 文献传递
- InP基共振遂穿二极管(RTD)研究
- 我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD...
- 韩春林薛舫时高建峰陈辰
- 关键词：优化设计电子束光刻光刻工艺电学特性
- 文献传递
- 微波与光混合信号集成的芯片和模块
- 光和微波技术的有机结合,给目前的微波技术带来了一场新的革命,并已蕴育了许多新的研究领域.两大技术的结合已导致了几个重要的发展,如更高的工作频率、更快的频率捷变;并且具备了高频下的宽带性能,该技术可以改善低相噪振荡器的稳定...
- 孙再吉韩春林
- 关键词：光电振荡器
- 文献传递
- InP基共振遂穿二极管隔离层厚度对器件I-V特性影响的研究
- 本文对AlAs/InGaAs/InAs共振遂穿二极管（RTD）不同厚度隔离层对器件Ⅰ-Ⅴ特性的影响进行了研究,研究发现器件的峰谷电流密度在负微分电阻区会随着隔离层材料厚度的增加而降低,同时,在一定隔离层厚度范围内峰谷电流...
- 韩春林张杨曾一平高建峰薛舫时陈辰
- 关键词：分子束外延隔离层
- 文献传递
- 4H-SiC MESFET的反应离子刻蚀和牺牲氧化工艺研究被引量：5
- 2005年
- 对于栅挖槽的4H-SiCMESFET,栅肖特基接触的界面经过反应离子刻蚀,界面特性对于肖特基特性和器件性能至关重要。反应离子刻蚀的SiC表面平滑度不是很好,刻蚀损伤严重。选择合适的RIE刻蚀条件减小刻蚀对半导体表面的损伤;利用牺牲氧化改善刻蚀后的表面形貌,进一步减小表面的刻蚀损伤。工艺优化后栅的肖特基特性有了明显改善,理想因子接近于1。制成的4H-SiCMESFET直流夹断特性良好,饱和电流密度达到350mAmm。
- 柏松韩春林陈刚
- 关键词：4H-SICMESFET反应离子刻蚀肖特基势垒
- InP基共振遂穿二极管研究
- 2008年
- 在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。在室温下测试了器件的电学特性,峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比为8.6。通过MATLAB软件对器件I-V测试曲线进行了数值拟合,结果与实验数据吻合得很好。
- 韩春林薛舫时高建峰陈辰
- 关键词：空气桥MATLAB电子束光刻分子束外延
