骆文生
- 作品数：6 被引量：13H指数：2
- 供职机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所更多>>
- 发文基金：“九五”国家科技攻关计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 多晶硅的定向生长方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiS...
- 廖燕平邵喜斌邝俊峰荆海付国柱骆文生郜峰利缪国庆
- 文献传递
- 用金属诱导准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜被引量：4
- 2005年
- 提出了一种新的晶化方法———金属诱导准分子激光晶化法(MI ELA)。该方法在制备多晶硅(p Si)薄膜中包括两个步骤:第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2;第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p Si。通过用XRD、Raman与SEM测试,研究了p Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现,MI ELA方法制备的p Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样,而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与c Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明,在ELA中,晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件,而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。
- 廖燕平邵喜斌吴渊骆文生付国柱荆海马凯
- 关键词：多晶硅薄膜
- 多晶硅薄膜材料的准分子激光烧结制备与性能研究
- 在玻璃衬底上采用PECVD法制备a-Si:H薄膜基础上,采用308nmXeCl激光器对所制备的薄膜进行了激光晶化烧结,利用XRD、Raman、SEM及电学性能测试等方法对所制备多晶硅薄膜材料的结构与性能进行了研究.
- 邱法斌张玉骆文生刘传珍荆海黄锡珉
- 关键词：激光烧结多晶硅薄膜
- 文献传递
- 用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜
- 本文提出了一种新的晶化方法——金属诱导准分子激光晶化法(MI-ELA).这个方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两上步聚:第一步是用镍金属诱导方法通过热退火形成NiSi<,2>;第二步是再通过ELA方法晶化形成p-Si...
- 廖燕平邵喜斌吴渊骆文生付国柱荆海马凯
- 关键词：金属诱导晶化准分子激光晶化激光晶化多晶硅薄膜
- 文献传递
- 多晶硅的定向生长方法
- 本发明属于半导体材料技术领域，是一种把非晶硅转化成定向多晶硅的方法。本发明是在已脱氢的非晶硅表面溅射一薄层金属镍，薄层厚度为2.0～3.0nm，在400～500℃温度，氮气气氛下退火3～5小时，形成一薄层镍硅化合物NiS...
- 廖燕平邵喜斌邝俊峰荆海付国柱骆文生郜峰利缪国庆
- 文献传递
- 准分子激光烧结玻璃衬底上多晶硅薄膜材料的制备被引量：10
- 2001年
- 在 PECVD法制备 a- Si:H薄膜材料基础上 ,以 Xe Cl准分子激光烧结为手段 ,对在玻璃衬底上制备多晶硅薄膜材料的工艺条件进行了探索 ,利用 XRD、 SEM、 Raman光谱等分析测试手段对所制备材料的结构特征进行了表征。较高的衬底温度、合适的激光能量密度和脉冲频率 ,有利于获得高质量的多晶硅薄膜。
- 邱法斌骆文生张玉刘传珍荆海黄锡珉
- 关键词：多晶硅膜玻璃衬底
