您的位置: 专家智库 > >

刘祖刚

作品数:35 被引量:88H指数:7
供职机构:上海大学材料科学与工程学院材料工程系更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教委科研基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 30篇电子电信
  • 7篇理学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 30篇发光
  • 27篇电致发光
  • 20篇发光器件
  • 19篇电致发光器件
  • 13篇薄膜电致发光
  • 10篇有机薄膜电致...
  • 9篇薄膜电致发光...
  • 8篇有机薄膜电致...
  • 6篇陶瓷厚膜
  • 6篇厚膜
  • 5篇光致
  • 5篇光致发光
  • 4篇绝缘
  • 4篇绝缘层
  • 3篇有机发光
  • 3篇空穴
  • 2篇陶瓷
  • 2篇微晶
  • 2篇稳定性
  • 2篇显示器

机构

  • 26篇上海大学
  • 5篇上海科学技术...
  • 3篇厦门大学
  • 2篇华东理工大学
  • 2篇上海科技大学

作者

  • 35篇刘祖刚
  • 26篇张志林
  • 26篇许少鸿
  • 22篇蒋雪茵
  • 19篇赵伟明
  • 15篇唐春玖
  • 7篇王林军
  • 4篇朱文清
  • 3篇史伟民
  • 3篇莫要武
  • 3篇沈悦
  • 2篇陆慧庆
  • 2篇桑文斌
  • 2篇姬荣斌
  • 2篇彭小雷
  • 2篇闵嘉华
  • 2篇钱永彪
  • 2篇薛敏钊
  • 2篇赵伟明
  • 1篇段彩明

传媒

  • 7篇光学学报
  • 7篇发光学报
  • 4篇功能材料与器...
  • 4篇上海大学学报...
  • 3篇厦门大学学报...
  • 2篇功能材料
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇稀有金属
  • 1篇应用科学学报
  • 1篇液晶与显示
  • 1篇光电子技术
  • 1篇半导体光电

年份

  • 2篇2001
  • 1篇2000
  • 3篇1999
  • 6篇1998
  • 10篇1997
  • 3篇1996
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1993
  • 4篇1992
  • 1篇1991
  • 1篇1989
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
陶瓷厚膜电致发光器件的电致发光特性研究被引量:11
1999年
研制了以四元系组分PMN-PT-PFN-PCW陶瓷厚膜为绝缘层的无Y2O3介质层和有Y2O3介质层两种结构的电致发光器件,并对陶瓷厚膜的制备条件与厚膜厚度等因素对陶瓷厚膜电致发光器件电致发光特性的影响进行了深入的研究.
唐春玖刘祖刚赵伟明王林军蒋雪茵张志林许少鸿
关键词:电致发光器件陶瓷厚膜绝缘层发光特性
用光伏效应研究有机薄膜电致发光器件中的接触性质被引量:4
1994年
首次发现了有机薄膜电致发光器件的光生伏特效应,通过对器件的光电流响应谱的详细研究,分析了不同结构的有机发光器件中的有机半导体之间,以及有机半导体与电极材料之间的半导体接触性质,发现有机发光材料Alq3,有机空穴传输材料daimine与金属铝电极之间形成阻挡接触,是电致发光器件发光和产生光电效应的根本原因;而双层器件中有机层Alq3与diamine之间的结是双层器件产生高发光效率的原因,正是这种结在双层器件中起了局限载流子和激子的作用,使发光亮度大为提高,结合分区掺杂实验结果,给出了较完善的能带模型.
刘祖刚张志林沈悦赵伟明蒋雪茵许少鸿
关键词:电致发光光生伏打效应发光器件
溶胶络合转化法制备CdS纳米微晶及其特性研究被引量:9
2000年
依据高分子链上的配位基团与金属离子间络合反应平衡原理以及溶液中双电层扩散模型 ,提出了用溶胶络合转化法在甲壳胺中制备CdS纳米微晶的新方法。采用原子力显微镜 (AFM )、X射线衍射图谱 (XRD)、紫外 -可见吸收光谱 (UV)及激发 -发射光谱等手段研究了甲壳胺膜中CdS纳米微晶的特性 ,室温下的量子尺寸效应由实验得到了证实。此外分别采用Scherrer公式和AFM技术对晶粒尺寸进行了估算与测定 ,并对两种结果进行了比较与分析 ,由这种方法制备的纳米微粒尺度可由实验条件控制在 2~ 1 8nm之间。
桑文斌彭小雷史伟民刘祖刚钱永彪王林军闵嘉华刘引烽
关键词:甲壳胺原子力显微镜
全文增补中
用化学浸蚀形成光致发光多孔硅的研究
1995年
在HF-HNO_3水溶液中化学浸蚀单晶硅,得到了具有可见光致发光的多孔硅层(PSL).金相显微镜和扫描电镜(SEM)观察表明,化学浸蚀后的表面呈绒面状,说明侵蚀具有各向异性。浸蚀过程中出现显色循环,当显色处于临界时间时,样品光致发光最强。与阳极氧化样品相比,化学侵蚀形成多孔硅的光致发光强度要弱近一个数量级,其峰值能量为1.94~2.04eV,半峰宽(FWHM)为0.35~0.41eV.还对比讨论了阳吸氧化多孔硅和化学浸蚀多孔硅的稳定性。
莫要武安其霖陈炜刘祖刚蒋雪茵史伟民吴汶海
关键词:化学浸蚀光致发光多孔硅
Cd_xZn_(1-x)S:SmF_3的红色薄膜电致发光被引量:2
1991年
本文首次报道了用Cd_xZn_(1-x)S替代ZnS作为基质,改进SmF_3的TFEL的实验;通过适当地在基质中掺杂CdS,在一定程度上提高了SmF_3的TFEL发光亮度;分析了Cd_xZn_(1-x)S基质中Cd含量对SmF_3的TFEL的影响,探讨了发光亮度提高的原因.
朱佳徐景明刘祖刚张志林许少鸿
关键词:电致发光发光材料SM
Mn<'2+>离子在MS<,2>O<,6>(M=Ca.Sr.Ba)及其固溶体的中的发光研究
刘祖刚
关键词:离子固溶体
有机薄膜电致发光器件的光学微腔效应被引量:4
1998年
制备了以铝掺杂氧化锌(AZO)透明导电膜为阳极的有机薄膜电致发光微腔器件,研究了垂直的光学法布里-珀罗(Fabry-Perot)微共振腔对有机器件的自发发射的微腔效应。发现了光谱窄化、发光强度增加及发射的角度依赖关系等现象。具有微腔结构的器件发射谱半高宽只有14nm,而非微腔器件在100nm以上;微腔器件的峰高比非微腔的器件高一倍以上,微腔器件的发射峰随测量角的增大而“蓝移”。用TiO2作填充调节层或用不同厚度的AZO层来改变腔的光学厚度,得到了不同发光颜色。
刘祖刚唐春玖赵伟明蒋雪茵张志林许少鸿
关键词:电致发光器件
以陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件研究被引量:14
1997年
研制了以四元系组分PMNPTPFNPCW陶瓷厚膜为绝缘层的电致发光器件,对陶瓷厚膜的制备条件和制得的厚膜与器件的发光性能的关系进行了详细的研究。特别对基片要求和印刷烧制等工艺进行了探讨。
刘祖刚赵伟明唐春玖沈鸿亮蒋雪茵张志林许少鸿
关键词:陶瓷厚膜绝缘层陶瓷电致发光器件
有空穴传输层的双层有机薄膜电致发光器件
1992年
制备了由有机空穴传输层和有机发光层组成的双层有机薄膜电致发光器件,器件的发光亮度相对于单层器件有了很大的提高。并用不同深度区域的掺杂方法,对其电致发光机理作了探讨。对单、双层器件的不同的亮度电流关系、不同的发光区域进行了分析和讨论.
刘祖刚沈悦蒋雪茵张志林赵伟明许少鸿
关键词:电致发光器件发光层
Cd S 纳米微晶在 P A N 膜中的形成与特性被引量:9
1999年
采用离子络合法在 P A N 膜中制备了 Cd S 纳米微晶。根据红外吸收( I R) 光谱和原子力显微镜( A F M) 的测试结果提出了可能的形成机理, 并采用 X 射线衍射分析( X R D) 、紫外可见吸收光谱( U V) 、激发和发射光谱( P L) 对其特征进行了初步表征。
彭小雷桑文斌王林军刘祖刚史伟民钱永彪闵嘉华刘引烽
关键词:PAN纳米微晶硫化镉
共4页<1234>
聚类工具0