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吴名枋

作品数:10 被引量:24H指数:2
供职机构:北京大学物理学院技术物理系更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 4篇会议论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇沟道
  • 2篇带电粒子
  • 2篇电粒子
  • 2篇离子注入
  • 2篇SI
  • 2篇SI(100...
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化碳
  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化镓
  • 1篇多晶
  • 1篇异质外延生长
  • 1篇三元合金
  • 1篇微电子
  • 1篇相稳定性
  • 1篇离子束
  • 1篇离子束合成
  • 1篇离子束注入
  • 1篇晶格
  • 1篇晶格常数

机构

  • 10篇北京大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇厦门大学
  • 1篇华中理工大学

作者

  • 10篇吴名枋
  • 9篇姚淑德
  • 3篇王雪梅
  • 3篇周生强
  • 3篇张亚伟
  • 2篇孙昌
  • 2篇陈守元
  • 2篇孙长春
  • 1篇马宏骥
  • 1篇唐超群
  • 1篇张勇
  • 1篇王启明
  • 1篇周必忠
  • 1篇侯利娜
  • 1篇杨沁清
  • 1篇马军
  • 1篇张勇
  • 1篇雷红兵

传媒

  • 3篇核技术
  • 2篇Journa...
  • 1篇青岛大学学报...
  • 1篇2001年超...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇CCAST“...

年份

  • 1篇2004
  • 2篇2001
  • 2篇1999
  • 2篇1998
  • 1篇1997
  • 1篇1993
  • 1篇1991
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究被引量:14
1998年
本文详细地分析了离子注入掺铒硅的光致发光谱,有5个发光峰分别位于1.536μm、1.554μm、1.570μm、1.598μm和1.640μm,其中1.536μm发光峰最强.结合背散射谱,认为其有效的发光中心为处于Td对称中心的填隙铒Er3+离子.在Er与O、N、C共掺样品应分别存在Er-O、Er-N和Er-C发光中心,其对应的PL发光峰分别为1.570μm、1.536μm和1.608μm.
雷红兵杨沁清王启明周必忠肖方方吴名枋
关键词:光致发光离子注入
离子束合成法形成的Si/CoSi2/Si/SiO2/Si(100)结构
近年来,由于发展新型微电子器件的需要及强流离子注入机的发展,使一种崭新的离子束合成接术,即高剂量(10-10/cm)的离子注入在硅中形成一层连续的并具有陡峭界面的化合物埋层的技术,日趋成熟.这一技术不仅可在硅中形成 Si...
吴名枋赖初喜姚淑德王雪梅
文献传递
核分析技术在新型光电材料Ⅲ族氮化物研究中的新应用
氮化镓(GaN)及其三元化合物半导体(AlGaN、InGaN等)是近些年迅速发展的新型光电材料,正广泛应用在全波段发光器件、短波长激光器及紫外探测器等领域,但是迄今人们对其结构特征及对物理性质的影响研究的很不充分:在三元...
姚淑德侯利娜周生强马宏骥吴名枋
文献传递
异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究被引量:7
1999年
本文阐述了用RBS/channeling技术研究异质外延GaN及其三元合金薄膜的重要性和必要性,报道了实验测量出的GaN及其三元合金AlGaN、InGaN膜的结构,给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度随深度的分布、结晶品质、晶轴取向等信息,测出了几种薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χmin值(Al0.15Ga0.85N的χmin值可低至1.17%)和沟道坑的半角宽Ψ1/2(GaN的半角宽为0.74°),对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响,本文亦有明确的说明.
姚淑德吴名枋陈守元孙胜权张勇
关键词:氮化镓异质外延生长三元合金
离子束合成法形成的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构被引量:1
1993年
用离子束合成法先后在Si(100)衬底中形成了连续的SiO_2及CoSi_2埋层,从而形成了复合的Si/CoSi_2/Si/SiO_2/Si(100)结构。卢瑟福背散射、沟道技术及用扫描电镜所作的电子通道花样被用来对这一结构形成的各个阶段进行分析。这一结构可望用于今后新型的微电子器件、光电器件及三维集成电路等。
吴名枋赖初喜姚淑德王雪梅
关键词:离子注入
用新型核技术——沟道离子束合成法研制稀土硅化物
1997年
新型核技术-沟道离子束合法,在研制稀土金属硅化物的过程中被发展和采用,沟道离子合成法比传统的注入方法有很多优点,背散射沟道分析,电镜分析和X射线衍射测试结果表明,生成的稀土硅化物具有很好的结晶品质和很高的相稳定性。
姚淑德吴名枋
关键词:相稳定性
带电粒子的沟道效应研究
本文对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17%(1),GaN及InG...
姚淑德吴名枋周生强孙长春孙昌张亚伟
关键词:带电粒子沟道效应晶格常数
文献传递
C-N多晶的离子束合成及分析
1998年
介绍了用离子束合成法研制新型材料β-C3N4的条件及过程,用RBS、XRD等手段分析研究该方法生成物的配比、结构和物相,观察到CN化合物多晶。
姚淑德陈守元马军张亚伟丰伟静王雪梅吴名枋唐超群
关键词:氮化碳离子束注入多晶离子束合成
用沟道离子注入法研制稀土硅化物被引量:2
1999年
用沟道离子注入法生成的稀土硅化物产物经背散射沟道分析、电镜分析和X射线衍射测 试表明:它具有很好的结晶品质(ErSi1.7的Xmin值可低到1.5%)和很高的相稳定性。
姚淑德吴名枋陈守元张勇
关键词:微电子
带电粒子的沟道效应研究
对带电粒子的沟道效应研究正在逐步深入.背散射/沟道分析是判定材料结晶品质优劣的重要手段,应用范围由金属推广到半导体、光电材料等薄膜样品,用沟道分析首次得到高结晶品质的GaN的Xmin=1.17%,GaN及InGaN的晶格...
姚淑德吴名枋周生强孙长春孙昌张亚伟
文献传递
共1页<1>
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