您的位置： 专家智库 > >

吴桐

作品数：2 被引量：6H指数：1
供职机构：清华大学电子工程系更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇氮化物
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇静态特性
  • 1篇功率器件
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...
  • 1篇AL
  • 1篇ALGAN
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇BCL
  • 1篇CL
  • 1篇ICP
  • 1篇III-V族

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇吴桐
  • 2篇郝智彪
  • 2篇罗毅
  • 2篇孙长征
  • 2篇郭文平
  • 1篇薛松
  • 1篇胡卉
  • 1篇唐广
  • 1篇吴震
  • 1篇韩彦军

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇中国科学（E...

年份

  • 1篇2004
  • 1篇2003
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀被引量：6
2004年
利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。
韩彦军薛松吴桐吴震郭文平罗毅郝智彪孙长征
关键词：ALGANICP感应耦合等离子体III-V族氮化物
不同AlGaN层厚度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的静态特性(英文)
2003年
利用金属有机化合物气相外延技术研究了 Al Ga N/ Ga N高电子迁移率晶体管 (HEMT)结构的外延生长及器件制作 ,重点比较了具有不同 Al Ga N层厚度的 HEMT器件的静态特性 .实验发现具有较薄 Al Ga N隔离层的结构表现出较好的器件特性 .栅长为 1μm的器件获得了 6 5 0 m A/ m m的最大饱和电流密度和 10 0 m S/ mm的最大跨导 .
吴桐郝智彪唐广郭文平胡卉孙长征罗毅
关键词：高电子迁移率晶体管氮化镓功率器件
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0