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黄森鹏

作品数：2 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇高温
  • 1篇石墨坩埚
  • 1篇碳化
  • 1篇坩埚
  • 1篇拉曼
  • 1篇拉曼光谱
  • 1篇光谱
  • 1篇硅表面
  • 1篇SIC
  • 1篇AFM

机构

  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 2篇孙信华
  • 2篇吴华
  • 2篇孙希鹏
  • 2篇王利杰
  • 2篇陆东梅
  • 2篇黄森鹏
  • 1篇于茫

传媒

  • 2篇科技创新导报

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳化硅表面高温改性法热场模拟研究
2012年
SiC表面高温改性法制备出的石墨烯的质量较高且可以直接通过光刻在SiC衬底上制作器件,是目前最有希望大规模制备石墨烯的方法之一。但是其产热和导热过程比较复杂,给热场设计带来了较大的难度。本文借助计算机热场模拟技术解决了这个难题,模拟出了与事实相符的结果,并在此基础上优化了坩埚设计,最终指导工艺实验生长出了层数分布均匀的石墨烯。
吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华于茫陆东梅
关键词：石墨烯石墨坩埚
SiC表面高温改性法生成石墨烯研究被引量：3
2012年
石墨烯是具有优异电学性能的碳质新材料。本文采用氩气气氛下的SiC表面高温改性法制备石墨烯。通过AFM发现表面形貌较真空法有了较大提高,同时还观察到样品表面分布着大量的网状凸起。通过拉曼检测发现得到了3层的少层石墨烯,且I(D)/I(G)≈0.04。最后总结出该工艺生长石墨烯的一些规律。
吴华王利杰孙希鹏黄森鹏孙信华陆东梅
关键词：SIC石墨烯拉曼光谱AFM
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