展杰
- 作品数：16 被引量：53H指数：5
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学电气工程更多>>
- 具有特定形貌高表面活性的光催化材料AgAg<Sub>2</Sub>O 微晶及其制备方法
- 本发明涉及具有特定形貌高表面活性的光催化材料AgAg<Sub>2</Sub>O微晶及其制备方法。该光催化材料AgAg<Sub>2</Sub>O微晶是在不同形貌的氧化银颗粒表面沉积银纳米颗粒的构成相应形貌的复合光催化材料，...
- 展杰黄柏标王刚
- 文献传递
- 天然热释电材料电气石的微结构及对水的pH值影响机理的研究被引量：7
- 2009年
- 以新疆产天然电气石为原料制备了电气石微粉,利用X射线衍射仪、扫描电镜、高分辨电镜、pH酸度计研究了电气石的物相、微结构特点和电气石对水酸度及其随温度变化的影响。结果表明,电气石单个微粒为单畴的铁电体,可视为电偶极子;利用电气石微粉可以使水的酸度呈弱碱性;电气石对水酸度的影响随温度的变化进一步佐证了电气石的热释电性,并探讨了电气石对水作用的可能机理。
- 展杰葛炳辉王朋王泽岩郑承国黄柏标蒋民华
- 关键词：电气石热释电性催化
- 石墨烯/聚吡咯导电复合材料超级电容器电极的制备研究被引量：9
- 2017年
- 超级电容器与锂电池相比具有更高的循环稳定性以及更高的能量密度。提高超级电容器电极材料化学稳定性,增大离子吸附比表面积,以获得更好的电化学性能,成为超级电容器研究领域的热点。以湿化学还原法制备的石墨烯为基底,采用原位电化学沉积法制成了石墨烯/聚吡咯导电复合材料超级电容器电极。通过扫描电子显微镜(SEM)对电极的微观形貌进行了观察,利用电化学工作站对组装的超级电容器电化学性能进行了系统表征,同时探讨了沉积浓度和沉积时间对电化学性能的影响。结果表明,在0.2mol/L吡咯溶液中沉积时间为22.5min制备出的石墨烯/聚吡咯导电复合材料电极的比电容可达388F/g,表现出优良的超级电容器电化学性能。
- 杜伟鞠翔宇王美丽展杰
- 关键词：石墨烯聚吡咯导电聚合物超级电容器
- 反应温度对苯热合成氮化硼纳米晶的影响
- 研究了不同反应温度对苯热合成立方氮化硼的影响,研究结果表明:以Li<,3>N和BBr<,3>为原料制备立方氮化硼时,温度对产物中立方相含量有很大影响,在200~400℃,产物主要为六方相氮化硼,随温度升高,立方氮化硼的含...
- 郝霄鹏展杰房伟李玲董守义崔得良徐现刚蒋民华
- 关键词：氮化硼立方相
- 文献传递
- 可见光响应光催化材料Ag@Ag<Sub>3</Sub>VO<Sub>4</Sub>及其制备方法
- 本发明涉及一种可见光响应的光催化材料AgAg<Sub>3</Sub>VO<Sub>4</Sub>及其制备方法。本发明的AgAg<Sub>3</Sub>VO<Sub>4</Sub>光催化材料是在钒酸银颗粒表面沉积银纳米颗粒...
- 展杰王刚
- 文献传递
- 配合物热分解制备氮化镓纳米线及其生长机理研究被引量：3
- 2005年
- 报道了利用VLS生长机制,在NH3气氛中,由配合物GaCl3·NH3在高温下热分解反应成功制备了GaN纳米线,利用X射线衍射(XRD)、高分辨电镜(HRTEM)、X射线能谱(EDS)等分析手段对产物进行了表征,并对氮化镓纳米线的VLS生长机理进行了探讨。
- 展杰郝霄鹏吴拥中温树林蒋民华
- 关键词：氮化镓纳米线显微结构
- 一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS-HEMT及其制备方法
- 本发明涉及一种基于ScAlN介质层的InAlN/GaN MIS‑HEMT及其制备方法，该结构包括自下而上依次设置的衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InGaN势垒层、GaN帽层和ScAl...
- 崔鹏陈思衡韩吉胜徐现刚林兆军展杰徐明升崔潆心钟宇
- 天然矿物电气石对水分子团簇的影响被引量：5
- 2010年
- 以新疆产天然电气石为原料制备了电气石微粉,利用X射线衍射仪、扫描电镜、高分辨电镜、17O核磁共振研究了电气石微粉的物相结构、微结构特点和电气石的热释电性对水分子团簇结构影响,并对其作用的机理进行了探讨。结果表明,所制备的电气石微粉的结晶性完好,具有单向极性结构的热释电性材料电气石的微晶在温度涨落的环境中可视为电偶极子;电气石粉对水的17O核磁共振谱的半峰宽具有明显的影响,从HW=145.41Hz降到HW=81.11Hz,表明电气石微粉对水分子团簇结构的改善有明显的作用。
- 展杰王泽岩王朋葛炳辉程合锋黄柏标蒋民华
- 关键词：电气石热释电性
- 一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法
- 本发明涉及一种高功率增益截止频率的InAlN/GaN HEMT及其制备方法，InAlN/GaNHEMT包括Si衬底、GaN缓冲层、InGaN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、InAlN势垒层和GaN帽层；GaN帽层上...
- 崔鹏陈思衡韩吉胜徐现刚林兆军徐明升崔潆心钟宇李树强展杰
- 利用电气石制备富含羟基自由基的弱碱性水的方法
- 本发明涉及一种利用电气石制备富含羟基自由基的弱碱性水的方法。按1～100g/L的添加量向水中加入电气石粉，搅拌制成悬浮液，然后对制得的悬浮液升温至78～82℃保持8-10分钟，冷却至室温，如此反复循环25-30个周期。本...
- 展杰黄柏标蒋民华
- 文献传递
