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施惠英
作品数:
3
被引量:2
H指数:1
供职机构:
中国科学院上海冶金研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
杨易
中国科学院上海冶金研究所上海微...
程宗权
中国科学院上海冶金研究所上海微...
吴学海
中国科学院上海冶金研究所
胡征
中国科学院上海冶金研究所
王惠民
中国科学院上海冶金研究所
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半导体光电
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Journa...
年份
1篇
1996
1篇
1994
1篇
1993
共
3
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InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展
被引量:1
1993年
本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。
杨易
施惠英
关键词:
单片集成
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道InP光波导和InGaAs-PIN光电探测器的单片集成,包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份.器件的结构和制作方法较为简单,而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近,如光波导损耗最小为8.6dB/cm,器件正向压降为0.4~0.6V,反向击穿电压>40V,响应度~0.5A/W,上升时间<0.9ns.
杨易
陈兴国
程宗权
王惠民
吕章德
蒋惠英
王晨
施惠英
吴学海
朱祖华
胡征
关键词:
磷化铟
光电探测器
单片集成
单片InGaAs/InP PIN PD阵列
被引量:1
1994年
文章简要地介绍了InGaAs/InPPINPD阵列的制作现状及其应用和发展趋势。
杨易
施惠英
程宗权
关键词:
INGAAS/INP
PIN
PD
阵列
探测器
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