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施惠英

作品数：3 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海冶金研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 3篇单片
  • 2篇单片集成
  • 2篇探测器
  • 1篇阵列
  • 1篇磷化铟
  • 1篇加强层
  • 1篇光电
  • 1篇光电探测
  • 1篇光电探测器
  • 1篇PIN
  • 1篇FET
  • 1篇INGAAS...
  • 1篇INP
  • 1篇MSM-PD
  • 1篇波导
  • 1篇PD
  • 1篇INGAAS

机构

  • 2篇中国科学院上...
  • 1篇中国科学院

作者

  • 3篇施惠英
  • 3篇杨易
  • 2篇程宗权
  • 1篇陈兴国
  • 1篇王晨
  • 1篇吕章德
  • 1篇朱祖华
  • 1篇蒋惠英
  • 1篇王惠民
  • 1篇胡征
  • 1篇吴学海

传媒

  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 1篇1993
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
InGaAs MSM-PD及其与FET单片集成的进展被引量：1
1993年
本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。
杨易施惠英
关键词：单片集成
InP系波导和光电探测器单片集成
1996年
本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．
杨易陈兴国程宗权王惠民吕章德蒋惠英王晨施惠英吴学海朱祖华胡征
关键词：磷化铟光电探测器单片集成
单片InGaAs／InP　PIN　PD阵列被引量：1
1994年
文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰＰＩＮＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。
杨易施惠英程宗权
关键词：INGAAS/INPPINPD阵列探测器
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