李志兵
- 作品数：5 被引量：6H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
- 2006年
- 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0．40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响．结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在．C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量．组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层．
- 李志兵王荣华韩平李向阳龚海梅施毅张荣
- AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
- 2005年
- 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。
- 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓
- 关键词：CVD光致发光
- Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长被引量：3
- 2006年
- 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.
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- 关键词：化学气相淀积
- Ge<,1-x>C<,x>合金薄膜的CVD生长研究
- IV族合金如Sil<,1-x>Ge<,x>合金、Ge<,1-x>C<,x>合金等用于制备新型异质结构器件，因而它们具有广泛的应用前景。
当Ge<,1-x>C<,x>合金中的C含量从0增至3％时，合金的禁带宽度从...
- 李志兵
- 关键词：化学气相淀积
- 文献传递
- Si(100)上Ge_(1-x)C_x合金薄膜的CVD外延生长
- 2005年
- 用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0 67eV到0 87eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度。另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的。
- 李志兵韩平王荣华秦臻韩甜甜
- 关键词：化学气相淀积拉曼光谱
