韩甜甜
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：南京大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 硅上碳化硅薄膜的CVD生长及性质研究
- 碳化硅材料(SiC)具有很多优点：禁带宽，导热性能好，击穿电场高，电子饱和速率高，热稳定性好，化学稳定性强。SiC的禁带宽度大，适合用于发展短波光电子器件，有利于SiC基器件在高温下工作;电子饱和速率高，适合制造高频器件...
- 韩甜甜
- 关键词：碳化硅薄膜光致发光性质稳定性
- 文献传递
- AlN/S i(100)上CVD SiC薄膜的光致发光谱被引量：2
- 2005年
- 本工作用化学气相淀积方法在A lN/S i(100)复合衬底上生长S iC薄膜。外延生长过程中,采用C4H4和S iH4作为反应气源,H2作为载气。样品的X-射线衍射谱和拉曼散射谱显示,所得到的外延层为六角对称的S iC薄膜。俄歇电子能谱及X-射线光电子能谱的测量结果表明,在外延膜中存在来自衬底的A l和N元素。样品的光致发光测量显示,所有的样品均可在室温下观察到位于3.03 eV和3.17 eV处的发光峰,这分别相应于4H-S iC能带中电子从导带到A l受主能级之间的辐射跃迁和电子从N施主能级到价带之间的辐射跃迁,从而表明所得的外延薄膜的多形体为4H-S iC。
- 秦臻韩平韩甜甜鄢波李志兵谢自力朱顺明符凯刘成祥王荣华李云菲S.XuN.Jiang顾书林张荣郑有炓
- 关键词：CVD光致发光
- Si1-xGex:C缓冲层上Ge薄膜的CVD外延生长被引量：3
- 2006年
- 用化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长Si1xGex:C合金作为缓冲层,继而外延生长了Ge晶体薄膜.根据AES测量结果可以认为,缓冲层包括由衬底中的Si原子扩散至表面与GeH4,C2H4反应而生成的Si1-xGex:C外延层和由Si1-xGex:C外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层.缓冲层上外延所得Ge晶体薄膜晶体取向较为单一,其厚度超过在Si上直接外延Ge薄膜的临界厚度,且薄膜中的电子迁移率与同等掺杂浓度(1.0×1019 cm-3)的体Ge材料的电子迁移率相当.
- 王荣华韩平夏冬梅李志兵韩甜甜刘成祥符凯谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓
- 关键词：化学气相淀积
- Si(100)上Ge_(1-x)C_x合金薄膜的CVD外延生长
- 2005年
- 用化学气相淀积生长方法,以乙烯为碳源、锗烷为锗源,在Si(100)衬底上外延生长出了C组分达3%的Ge1-xCx合金薄膜,研究表明随着生长温度和乙烯分压的提高均可导致Ge1-xCx薄膜中碳组分的增加;X射线衍射测量显示随着C组分的增加合金薄膜晶格常数不断减小,这表明外延薄膜中的C原子主要以替位式存在。红外吸收谱的测量结果显示Ge1-xCx合金的禁带宽度随着C组分的增加而线性增加,从0 67eV到0 87eV,与理论相符,说明碳的掺入有效地调节了禁带宽度。另外拉曼光谱显示Ge1-xCx合金在387cm-1出现一新峰,该峰是Ge1-xCx薄膜中的Ge在K点的双声子振动引起的。
- 李志兵韩平王荣华秦臻韩甜甜
- 关键词：化学气相淀积拉曼光谱
