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邓晖

作品数：12 被引量：18H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 8篇光电
  • 6篇多量子阱
  • 5篇光电子
  • 5篇INGAAS...
  • 4篇倒装焊
  • 4篇探测器
  • 4篇DBR
  • 3篇电子器件
  • 3篇光电子集成
  • 3篇光电子器件
  • 3篇RCE探测器
  • 3篇SEED
  • 2篇铟柱
  • 2篇谐振腔
  • 2篇谐振腔增强型
  • 2篇芯片
  • 2篇芯片焊接
  • 2篇面阵
  • 2篇光电集成
  • 2篇光探测

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇邓晖
  • 11篇陈弘达
  • 7篇唐君
  • 7篇梁琨
  • 7篇杜云
  • 7篇吴荣汉
  • 5篇裴为华
  • 5篇毛陆虹
  • 2篇王启明
  • 1篇黄永箴
  • 1篇朱家廉
  • 1篇武术
  • 1篇渠波
  • 1篇马晓宇
  • 1篇潘钟
  • 1篇斐为华
  • 1篇林世鸣
  • 1篇高俊华
  • 1篇陆建祖
  • 1篇廖奇为

传媒

  • 3篇Journa...
  • 1篇光电子．激光
  • 1篇微纳电子技术
  • 1篇中国集成电路
  • 1篇第七届全国固...
  • 1篇中国微米/纳...

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2004
  • 4篇2003
  • 1篇2002
  • 4篇2001
  • 1篇2000
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究被引量：5
2001年
采用 BCl3和 Ar作为刻蚀气体对 Ga As、Al As、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究 ,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制 .实验结果表明 :在同样条件下 Ga As刻蚀的速率高于 DBR和 Al As,在一定条件下 Ga As刻蚀的刻蚀速率可达 40 0 nm/m in,Al As的刻蚀速率可达 35 0 nm/min,DBR的刻蚀速率可达 340 nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌 ,同时能够形成陡直的侧墙 ,侧墙的角度可达 85°.
刘文楷林世鸣武术朱家廉高俊华渠波陆建祖廖奇为邓晖陈弘达
关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率DBR砷化铝
现代微光电子封装中的倒装焊技术
结合我们设计制作的倒装焊光电子器件-智能像素面阵,对倒装焊的工艺过程作了简要的介绍.该面阵采用铟做凸点材料,制作了输入输出数达64×64的凸点电极阵列,并采用回流焊的方式,将光电调制器面阵与对应的处理电路芯片对准后加热回...
裴为华邓晖陈弘达
关键词：光电子集成倒装焊凸点电子封装
文献传递
倒装焊组装的光电混合集成RCE探测器面阵被引量：4
2003年
报道了一种可用于并行光传输系统的64×64光探测器面阵。器件结构采用谐振腔增强型(RCE),吸收区由3层InGaAs/GaAs量子阱构成,谐振腔是由2组多层布拉格结构的反射镜组成,工作波长位于980nm。该器件利用倒装焊技术,将GaAs基的谐振腔增强型光探测器面阵与相应的Si基标准CMOS集成电路混合集成在一起,形成具备64×64路光并行接收及处理的大规模光电集成探测器面阵器件,并对光探测器面阵的主要特性进行了测试,测试结果显示该面阵具有均匀的电特性,反向偏压均大于14V,暗电流约为10nA数量级。
裴为华陈弘达邓晖毛陆虹杜云唐君梁琨吴荣汉王启明
关键词：倒装焊谐振腔增强型INGAAS/GAAS量子阱
InGaAs/GaAs多量子阱光电子集成倒装焊面阵器件
陈弘达王启明吴荣汉毛陆虹杜云唐君邓晖梁琨斐为华
该项目深入研究了GaAs基不同结构形态量子阱中的室温激子行为，特别是非线性光学特性；利用量子限制Stark效应(QCSE)和激子非线形特性优化设计，研制出以InGaAs/GaAs多量子阱作为有源区的64×64面阵光子集成...
关键词：
关键词：光电子集成多量子阱
微光电子集成芯片及其应用被引量：2
2003年
一、引言目前,半导体科学技术在低维结构物理、微腔物理、光学量子器件及电学量子器件、超高速电子器件与集成电路、微光电子集成芯片、微光机电系统(MOEMS)器件等方面的研究与发展,其特征尺寸都已进入深亚微米、十纳米以至纳米量级。所研究对象的低维化和结构的微细化不仅是其性能改善的要求。
陈弘达毛陆虹邓晖唐君杜云吴荣汉
关键词：SEED光子集成光输出倒装焊VCSEL光互连
大规模光电集成RCE探测器面阵器件
大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格透射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多...
陈弘达裴为华毛陆虹吴荣汉杜云唐君邓晖梁琨
文献传递
RCE光电探测器顶部 DBR的优化(英文)
2001年
对研制的 VCSEL 结构外延片制成的谐振腔增强型 (简称 RCE)光电探测器进行了物理分析和实验研究 ,由于 VCSEL 与 RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同 ,通过腐蚀 VCSEL 器件顶部 DBR,改变顶镜反射率 ,能够得到量子效率峰值和半宽优化兼容的 RCE光电探测器 ,实现 VCSEL 与 RCE探测器的单片集成 .
梁琨陈弘达邓晖杜云唐君吴荣汉
关键词：垂直腔面发射激光器谐振腔增强型光电探测器
大规模光电集成RCE探测器面阵器件
大规模光电集成RCE探测器面阵器件，该面阵器件的每个器件的机构都是相同的，该面阵器件都是由两部分构成，即砷化镓基光探测器和硅基后处理电路，包括：一衬底；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在衬底上；一多量子阱光吸收区，该多...
陈弘达裴为华毛陆虹吴荣汉杜云唐君邓晖梁琨
文献传递
现代微光电子封装中的倒装焊技术被引量：8
2003年
结合我们设计制作的倒装焊光电子器件—智能像素面阵 ,对倒装焊的工艺过程作了简要的介绍。该面阵采用铟做凸点材料 ,制作了输入输出数达 6 4× 6 4的凸点电极阵列 ,并采用回流焊的方式 ,将光电调制器面阵与对应的处理电路芯片对准后加热回流实现焊接 ,形成输入输出引线间距只有 80
裴为华邓晖陈弘达
关键词：光电子器件光电子集成微电子电路
InGaAs/GaAs多量子阱 SEED面阵结构特性与设计(英文)
2001年
讨论了谐振腔中的 DBR对 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED面阵光反射特性的影响 .采用 In Ga As/ Ga As作为多量子阱 SEED器件的有源区 ,从而获得了 980 nm工作波长 .设计和分析了 In Ga As/ Ga As多量子阱 SEED中的一种用于倒装焊的新型谐振腔结构 .多量子阱材料是用 MOCVD系统生长 ,利用微区光反射谱、PL 谱以及 X射线双晶衍射对多量子阱材料进行了测量和分析 ,测量结果表明多量子阱材料具有良好的质量 。
邓晖陈弘达梁琨杜云唐君黄永箴潘钟马晓宇吴荣汉王启明
关键词：面阵光电子器件多量子阱INGAAS/GAASDBR
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