于春利
- 作品数：14 被引量：27H指数：3
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺更多>>
- 亚微米、深亚微米LDD MOSFET的衬底电流模型中特征长度改进的描述(英文)被引量：2
- 2004年
- 建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述 ,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的 L DD MOSFET.在以双曲正切函数描述的 I- V特性基础上 ,该解析模型的运算量远低于基于数值分析的物理模型 ,其中提取参数的运用也大大提高了模型的精度 ,模拟结果与实验数据有很好的一致性 .
- 于春利杨林安郝跃
- 关键词：衬底电流
- 数控车床的控制系统
- 于春利
- 一种适用于短沟道LDD MOSFET参数提取的改进方法(英文)被引量：2
- 2004年
- 提出了一种适用于短沟道 L DD MOSFET的改进型参数提取方法 ,通过对栅偏压范围细分后采用线性回归方法 ,提取偏压相关参数 ,保证了线性回归方法的精度和有效性 ,避免了对栅偏压范围的优化和误差考虑 .提取出的参数用于已建立的深亚微米 L DD MOSFET的 I- V特性模型中 。
- 于春利郝跃杨林安
- 关键词：迁移率
- AV系统数字调谐PLL频率合成器的单片机控制
- 2002年
- 文章利用LC7218PLL频率合成器在AV领域的电调谐功能,提出了一个TV/FM/AM全景接收机设计方案,重点设计分析了LC7218与单片机之间的I/O数据结构,显示了它优良的性能。
- 于春利杨林安
- 关键词：频率合成器单片机控制AV系统数字调谐PLL
- SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型被引量：6
- 2003年
- 针对 4H SiC射频大功率MESFET ,建立了一个解析的陷阱效应模型 ,该模型采用简化参数描述方法 ,并结合自热效应分析 ,从理论上完善了SiCMESFET大信号直流I V特性的解析模型 ,且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量 .
- 杨林安张义门于春利张玉明
- 关键词：SIC碳化硅金属-半导体场效应晶体管界面态
- 超深亚微米LDD nMOSFET中的非幸运电子模型效应
- 2005年
- 通过对采用0.18μmCMOS工艺制造的两组不同沟道长度和栅氧厚度的LDD器件电应力退化实验发现,短沟薄栅氧LDDnMOSFET(Lg=0.18μm,Tox=3.2nm)在沟道热载流子(CHC)应力下的器件寿命比在漏雪崩热载流子(DAHC)应力下的器件寿命要短,这与通常认为的DAHC应力(最大衬底电流应力)下器件退化最严重的理论不一致.因此,这种热载流子应力导致的器件退化机理不能用幸运电子模型(LEM)的框架理论来解释.认为这种“非幸运电子模型效应”是由于最大碰撞电离区附近具有高能量的沟道热电子,在Si SiO2界面产生界面陷阱(界面态)的区域,由Si SiO2界面的栅和漏的重叠区移至沟道与LDD区的交界处以及更趋于沟道界面的运动引起的.
- 杨林安于春利郝跃
- 关键词：LDDNMOSFET热载流子退化
- 离子注入高温退火对4H-SiC MESFET特性的影响(英文)被引量：1
- 2004年
- 采用人造刚玉高温炉管对 4 H- Si C进行 16 2 0℃的离子注入后退火 .实验测试发现 ,在刚玉管壁析出的微量铝的作用下 ,Si C表面与残余的氧成分反应生成衍生物 Si OC,造成材料表面粗糙和反应离子刻蚀速率很低 .分别采用该种样片和正常样片制作了单栅 MESFET,对比测试的欧姆接触和 I- V输出特性 。
- 杨林安张义门于春利张玉明陈刚黄念宁
- 关键词：退火欧姆接触I-V特性
- 包含衬底电流的LDD MOSFET输出I-V特性的经验模型分析(英文)
- 2004年
- 采用双曲正切函数的经验描述方法和器件物理分析方法 ,建立了适用于亚微米、深亚微米的 L DD MOSFET输出 I- V特性解析模型 ,模型中重点考虑了衬底电流的作用 .模拟结果与实验有很好的一致性 .该解析模型计算简便 ,对小尺寸器件中的热载流子效应等能够提供较清晰的理论描述 。
- 于春利郝跃杨林安
- 关键词：衬底电流热载流子效应PACCEEACC
- 表面态对碳化硅功率金-半场效应管特性的影响被引量：3
- 2003年
- 分析了4H-SiC射频功率MESFET栅源和栅漏区域内的表面态形成,建立了包含表面态影响的非线性解析模型,理论描述了对器件输出特性的稳态、瞬态响应.本模型具有计算简单、物理概念清晰的特点.
- 杨林安张义门于春利杨永民张玉明
- 关键词：表面态稳态响应
- 应用于空基相控阵雷达的新型功率器件——SIC射频功率MESFET
- 2001年
- 根据空基相控阵雷达的工作环境 ,对 4H -SiC材料及SiC功率器件 (SiCMESFET)的特点进行了分析。与GaAs器件相比 ,这种新型器件在空基相控阵雷达领域有广泛的应用前景。同时建立了用于器件CAD技术的SiCMESFET改进型非线性大信号模型 ,这种基于实验测量的模型通过SPICE模拟器对器件的功率特性进行了分析 。
- 杨林安于春利张义门
- 关键词：SICMESFET射频功率器件
