杨林安
- 作品数：82 被引量：35H指数：5
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法
- 本发明公开了一种复合沟道结构高电子迁移率晶体管及其制备方法，所述晶体管包括：半绝缘InP衬底、未掺杂InAlAs缓冲层、InP副沟道、第一未掺杂In<Sub>0.22</Sub>Ga<Sub>0.78</Sub>As副沟...
- 杨林安陈尧岳航博胡啸林马晓华郝跃
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- 基于实验与物理分析的4H-SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型被引量：5
- 2002年
- 采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法 ,并结合 Statz、Angelov等经验模型的描述方法 ,提出了常温下针对 4 H- Si C射频功率 MESFET的大信号非线性电容模型 .此模型在低漏源偏压区对栅源电容 Cgs强非线性的描述优于 Statz、Angelov等经验模型 ,计算量也远低于基于器件物理特性的数值模型 。
- 杨林安张义门张玉明
- 关键词：4H-SIC射频功率MESFET
- 基于c面SiC衬底上极性c面GaN的MOCVD生长方法
- 本发明公开了一种基于c面SiC衬底的极性c面GaN薄膜的生长方法，主要解决常规极性c面GaN材料生长中材料质量较差的问题。其生长步骤是：(1)将c面Al<Sub>2</Sub>O<Sub>2</Sub>衬底置于MOCVD...
- 郝跃许晟瑞张进成杨林安王昊陈珂曹艳荣杨传凯
- 文献传递
- 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法
- 本发明公开了一种基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的GaN太赫兹肖特基二极管及其制作方法，主要解决现有GaN肖特基二极管掺杂迁移率低，串联电阻大，截止频率低的问题。包括主体部分和辅体部分，主体部分自下而上包括：(1)...
- 杨林安王晓燕徐洋严霏郝跃
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- PECVD法淀积TiSi_2薄膜性质及应用研究
- 1990年
- 利用平板电容耦合式PECVD设备淀积TiSi_2薄膜,经800℃,30分钟的扩散炉退火,TiSi_x形成稳定的TiSi_2.用俄歇电子能谱和X射线衍射来监测硅化物的形成.用扫描电子显微镜观察了TiSi_2薄膜的等离子刻蚀情况.分别采用I—V法和C—V法测量了TiSi_2/Si接触的肖特基势垒高度.利用圆形传输线模型外推法求得了TiSi_2/Si引的接触电阻率,这比同样条件下Al/Si的接触电阻率低一个数量级以上.
- 杨林安周南生严北平
- 关键词：等离子刻蚀
- 一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法
- 本发明公开了一种太赫兹波阻抗易调谐空气共面波导结构及其制备方法，该共面波导结构利用空气桥制作技术，实现了以空气介质层作为主要介质层的共面波导结构；同时在空气介质层和碳化硅基片层之间插入开关金属层，并在开关金属层上开有一定...
- 杨林安李杨王少波郝跃
- 文献传递
- 等离子增强化学气相淀积硅化钛薄膜的特性
- 1994年
- 本文以四氯化钛（ＴｉＣｌ４）和硅烷（ＳｉＨ４）为源物质，采用等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）工艺结合常规热退火制备了优良的ＴｉＳｉ２薄膜．研究了淀积和退火条件对薄膜性质的影响．用四探针检测了退火前后薄膜的薄层电阻，用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和Ｘ射线衍射分析了薄膜的化学组成和晶体结构．
- 严北平周南生于宗光杨林安
- 关键词：气相淀积硅化钛
- 绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件
- 本发明公开了一种绝缘栅型直角栅-漏复合场板功率器件，其包括：衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、肖特基漏极(5)、台面(6)、绝缘介质层(7)、绝缘栅极(8)、钝化层(9)和保护层(14)。钝化层内刻有栅...
- 毛维郝跃范举胜李敏娜杨林安刘红侠王冲郑雪峰张金风
- 基于AlGaN/GaN共振隧穿二极管的退化现象的研究被引量：1
- 2013年
- 文章研究了GaN基共振隧穿二极管(RTD)的退化现象.通过向AlGaN/GaN/AlGaN量子阱中引入三个实测的深能级陷阱中心并自洽求解薛定谔方程和泊松方程,计算并且讨论了陷阱中心对GaN基RTD的影响.结果表明,GaN基RTD的退化现象是由陷阱中心的缺陷密度和激活能的共同作用引起.由于陷阱中心的电离率和激活能的指数呈正相关关系,因此具有高激活能的陷阱中心俘获更多电子,对负微分电阻(NDR)特性的退化起主导作用.
- 陈浩然杨林安朱樟明林志宇张进成
- 关键词：共振隧穿二极管GAN电离率
- 4H-SiCN离子注入层的特性(英文)
- 2002年
- 研究了在 4 H- Si C p型外延层上用 N离子注入制备 n型层的方法及其特性 ,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件 TRIM进行了模拟 .为了测试注入层的特性 ,制备了横向肖特基二极管和 TL M(transfer length m ethod)结构 .测得的 N激活浓度为 3.0× 10 1 6 cm- 3,计算出激活率为 0 .0 2 .注入层方块电阻为 30 kΩ/□ ,电阻率为 0 .72 Ω·cm,并计算出电子迁移率为 30 0 cm2 / (V· s) .
- 王守国张义门张玉明杨林安
- 关键词：4H-SICSIC离子注入退火方块电阻碳化硅
