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纳米硅薄膜的发光特性研究被引量：4: 2001年; 研究了 nc- Si:H薄膜的光致发光 ( PL) ,分析了晶粒尺寸、温度对发光特性的影响。对发光样品 ,晶粒尺寸有一上限 ,其值在 4～ 5nm之间。在 10～ 77K,nc- Si:H薄膜的发光强度几乎没有变化 ;当温度高于 77K,发光强度指数式下降。随温度升高 ,发光峰位有少许红移。讨论了nc- Si:H光致发光机理 ,用量子限制 -发光中心模型对实验现象进行了解释。从载流子的激发、复合两方面讨论了发光过程 ,认为载流子在晶粒内部激发后 ,弛豫到晶粒界面的发光中心复合发光。; 刘明傅东锋何宇亮李国华韩和相; 关键词：纳米硅光致发光

纳米硅薄膜的氧化特性: 1999年; 将ｎｃＳｉ：Ｈ薄膜进行等离子和高温氧化处理，测量了样品的氢、氧含量，Ｒａｍａｎ谱、红外吸收谱、光致发光（ＰＬ）．结果表明两种氧化方式都将氧掺入薄膜中，但不同处理方式氧在薄膜中的键合形式不同，Ｒａｍａｎ谱表明氧化处理对薄膜中晶粒大小及晶态比没有影响．用晶粒表面模型对氧化引起的光致发光（ＰＬ）蓝移进行了解释．; 刘明傅东锋崔志燮江兴流; 关键词：光致发光量子效应表面态纳米硅

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傅东锋