刘佳
- 作品数：11 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院“百人计划”国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于体硅衬底制作全耗尽FinFET器件的工艺方案被引量：3
- 2013年
- 随着MOS器件缩小到纳米尺寸,为了改善器件性能,三维全耗尽FinFET器件受到广泛关注和研究。基于体硅衬底,已实现不同结构的FinFET,如双栅、三栅、环栅等结构。不同于SOI衬底FinFET,对于双栅或三栅结构,体硅衬底制作FinFET可能存在源漏穿通问题,对于环栅FinFET器件,工艺实现是一个很大的挑战。综述了目前解决源漏穿通问题的各种工艺方案,提出了全新的基于体硅衬底制作环栅FinFET的工艺方案,并展示了关键步骤的具体工艺实验结果。
- 刘佳骆志炯
- 关键词：SOI衬底
- 半导体结构及其制作方法
- 一种半导体结构及其制作方法。其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶...
- 刘佳骆志炯王鹤飞
- 文献传递
- 围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
- 本发明实施例公开了一种围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法，利用体衬底(Bulk substrate)形成鳍后，通过多层掩膜及刻蚀仅暴露出鳍的下部的部分区域，通过该暴露的区域将鳍的下部刻蚀出穿孔来，并在穿孔下形成绝缘层，通...
- 刘佳骆志炯王鹤飞
- 文献传递
- 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
- 本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上...
- 王鹤飞骆志炯刘佳
- 文献传递
- 半导体结构及其制作方法
- 一种半导体结构及其制作方法。其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶...
- 刘佳骆志炯王鹤飞
- 半导体结构及其制作方法
- 本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片，其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中，鳍片两侧可以直接形成栅介质层，提高了晶体管的电性...
- 王鹤飞骆志炯刘佳
- 文献传递
- 半导体器件制造方法
- 一种半导体器件制造方法，制造了一种局部隔离的FinFET器件结构，形成的FinFET源漏区位于回填的绝缘材料之上，而并不于半导体衬底直接相连，鳍状半导体柱中仅有沟道区与半导体衬底相连接，这降低了器件的泄漏电流，解决了源漏...
- 刘佳骆志炯
- 文献传递
- 围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
- 本发明实施例公开了一种围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法，利用体衬底(Bulk？substrate)形成鳍后，通过多层掩膜及刻蚀仅暴露出鳍的下部的部分区域，通过该暴露的区域将鳍的下部刻蚀出穿孔来，并在穿孔下形成绝缘层，通...
- 刘佳骆志炯王鹤飞
- 文献传递
- 一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
- 本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上...
- 王鹤飞骆志炯刘佳
- 文献传递
- 半导体结构及其制作方法
- 本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片，其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中，鳍片两侧可以直接形成栅介质层，提高了晶体管的电性...
- 王鹤飞骆志炯刘佳
- 文献传递
