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骆志炯

作品数：332 被引量：5H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：中国科学院“百人计划”国家重点基础研究发展计划国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术文化科学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 329篇专利
  • 3篇期刊文章

领域

  • 65篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 258篇半导体
  • 135篇半导体器件
  • 116篇导体
  • 109篇沟道
  • 108篇半导体结构
  • 64篇晶体管
  • 56篇堆叠
  • 54篇介质层
  • 41篇衬底
  • 40篇栅极
  • 38篇沟道效应
  • 32篇电阻
  • 31篇掺杂
  • 29篇应力
  • 29篇鳍片
  • 28篇背栅
  • 27篇刻蚀
  • 24篇金属栅
  • 23篇迁移率
  • 22篇埋层

机构

  • 332篇中国科学院微...

作者

  • 332篇骆志炯
  • 299篇朱慧珑
  • 294篇尹海洲
  • 65篇梁擎擎
  • 23篇钟汇才
  • 11篇刘佳
  • 10篇王鹤飞
  • 8篇罗军
  • 7篇朱正勇
  • 3篇陈率
  • 3篇蒋葳
  • 2篇叶甜春
  • 2篇何卫
  • 2篇许杰
  • 2篇赵恒亮
  • 1篇于伟泽
  • 1篇许静
  • 1篇刘洪刚
  • 1篇杨达
  • 1篇安宁

传媒

  • 2篇微电子学
  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2020
  • 4篇2017
  • 25篇2016
  • 34篇2015
  • 47篇2014
  • 80篇2013
  • 92篇2012
  • 46篇2011
  • 3篇2010
共 332 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
晶体管
本实用新型涉及一种晶体管。根据本实用新型的晶体管，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中至少所述源区和漏区之一包含...
尹海洲骆志炯朱慧珑
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半导体结构及其制造方法
本发明提供了一种半导体结构及其制造方法，该方法包括提供衬底，在衬底上形成应力层，埋氧层，SOI层；在应力层中形成位于特定位置的应力层掺杂区；在SOI层上形成氧化物层和氮化物层，并刻蚀氮化物层、氧化物层、SOI层和埋氧层，...
朱慧珑骆志炯尹海洲梁擎擎
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半导体结构及其制造方法
本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括：半导体衬底；局部互连结构，与所述半导体衬底连接；通孔叠层结构，与所述局部互连结构电连接；其中，所述通孔叠层结构包括：过孔，所述过孔包括上过孔和下过孔，所述上过孔的...
朱慧珑尹海洲骆志炯
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一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底上形成有石墨烯层或碳纳米管层；在所述石墨烯层或碳纳米管层上形成栅极结构后，暴露部分所述石墨烯层或碳纳米管层，所述栅极结构包括栅堆叠、侧墙和帽层，所述...
尹海洲骆志炯朱慧珑
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半导体结构及其制作方法
本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。该方法包括：提供第一半导体层；在第一半导体层上设置第一电介质材料层，并在该第一电介质材料层中限定开口；在第一半导体层上，经由第一电介质材料层中限定的开口，外延生长第二半导体层，其中...
骆志炯尹海洲朱慧珑
形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法
本发明提出一种形成有沟道应力层的半导体结构及其形成方法。半导体结构包括：衬底；形成在所述衬底之上的栅介质层，形成在所述栅介质层之上的栅极，以及形成在所述衬底之中且位于所述栅极两侧的源极和漏极；形成在所述栅介质层和所述栅极...
骆志炯朱慧珑尹海洲
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半导体器件及其形成方法
一种制造半导体器件的方法，所述方法采用先去除伪堆叠以形成开口；而后从所述开口对衬底进行蚀刻而形成沟槽，并在所述沟槽的侧壁下部形成间隔层；然后在所述沟槽的底部形成掺杂阱区，以及在所述掺杂阱区上方形成沟道区；最后，在开口中形...
尹海洲骆志炯朱慧珑
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阱区的形成方法和半导体基底
一种半导体技术领域的阱区的形成方法和半导体基底，一种所述方法包括：在半导体衬底上形成隔离区，以隔离有源区；选定至少一个所述有源区，在选定的所述有源区内形成第一阱区；以掩模覆盖选定的所述有源区，刻蚀剩余的所述有源区，以形成...
尹海洲朱慧珑骆志炯
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一种制作晶体管和半导体器件的方法
提供了一种制作晶体管和半导体器件的方法。制作晶体管的方法可以包括：在半导体衬底上确定有源区，在所述有源区上形成栅叠层或伪栅叠层、源漏延伸区、侧墙和源漏区，所述源漏延伸区嵌于所述有源区中且自对准于所述栅叠层或伪栅叠层两侧，...
尹海洲骆志炯朱慧珑
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晶体管及其制造方法
本发明涉及晶体管及其制造方法。本发明的晶体管包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底上的栅极电介质；形成在所述栅极电介质上的栅极；位于所述半导体衬底中、且分别在所述栅极两侧的源区和漏区，其中仅所述源区包含至少一个位错。本发...
尹海洲朱慧珑骆志炯
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