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王鹤飞

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇晶体管
  • 6篇刻蚀
  • 6篇半导体
  • 4篇导体
  • 4篇氧化层
  • 4篇鳍片
  • 4篇半导体结构
  • 4篇衬底
  • 2篇电流
  • 2篇淀积
  • 2篇堆叠
  • 2篇掩膜
  • 2篇栅结构
  • 2篇填充层
  • 2篇阻挡层
  • 2篇离子
  • 2篇介质层
  • 2篇绝缘
  • 2篇绝缘层
  • 2篇刻蚀工艺

机构

  • 10篇中国科学院微...

作者

  • 10篇骆志炯
  • 10篇王鹤飞
  • 8篇刘佳

年份

  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 4篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
本发明实施例公开了一种围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法，利用体衬底(Bulk substrate)形成鳍后，通过多层掩膜及刻蚀仅暴露出鳍的下部的部分区域，通过该暴露的区域将鳍的下部刻蚀出穿孔来，并在穿孔下形成绝缘层，通...
刘佳骆志炯王鹤飞
文献传递
一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上...
王鹤飞骆志炯刘佳
文献传递
隧穿场效应晶体管及其制造方法
一种隧穿场效应晶体管，栅堆叠和衬底之间具有交界线，其源区的侧壁经阻挡层接于衬底，且至少靠近栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。还提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法。均利于增加导通电流。
骆志炯王鹤飞
半导体结构及其制作方法
本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片，其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中，鳍片两侧可以直接形成栅介质层，提高了晶体管的电性...
王鹤飞骆志炯刘佳
文献传递
半导体结构及其制作方法
一种半导体结构及其制作方法。其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶...
刘佳骆志炯王鹤飞
文献传递
半导体结构及其制作方法
一种半导体结构及其制作方法。其中该制作方法包括下列步骤：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成鳍片；向所述半导体衬底的表面和鳍片顶部注入氟离子；在所述半导体衬底的表面和鳍片表面形成氧化层，鳍片两侧的半导体衬底上以及鳍片顶...
刘佳骆志炯王鹤飞
隧穿场效应晶体管及其制造方法
一种隧穿场效应晶体管，栅堆叠和衬底之间具有交界线，其源区的侧壁经阻挡层接于衬底，且至少靠近栅堆叠的部分所述阻挡层与所述交界线之间的夹角小于90°。还提供了一种隧穿场效应晶体管的制造方法。均利于增加导通电流。
骆志炯王鹤飞
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半导体结构及其制作方法
本申请公开了一种半导体结构及其制作方法。其中所述半导体结构包括：半导体衬底以及位于半导体衬底上的鳍片，其中仅在所述鳍片顶部及半导体衬底表面形成有氮氧化层。本发明的实施例中，鳍片两侧可以直接形成栅介质层，提高了晶体管的电性...
王鹤飞骆志炯刘佳
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围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法
本发明实施例公开了一种围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法，利用体衬底(Bulk？substrate)形成鳍后，通过多层掩膜及刻蚀仅暴露出鳍的下部的部分区域，通过该暴露的区域将鳍的下部刻蚀出穿孔来，并在穿孔下形成绝缘层，通...
刘佳骆志炯王鹤飞
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一种嵌入区的形成方法以及嵌入源漏的形成方法
本发明实施例公开了一种嵌入区的形成方法，所述方法包括：提供衬底以及衬底上的第一结构；在位于第一结构至少一侧的衬底上形成沟槽；进行淀积，在沟槽、衬底、第一结构及第一结构侧壁上形成至少一层填充层；在位于所述沟槽上方的填充层上...
王鹤飞骆志炯刘佳
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