史进
- 作品数：6 被引量：9H指数：2
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- SOI/SiGe MOS器件研究和制备
- 该论文主要介绍的是基于SOI技术的SiGe异质结MOS器件.在论文中我们给出了两种不同的材料结构来与体Si材料进行比较,用应变的Si Cap层和弛豫的SiGe材料层构建NMOS管,用弛豫的Si Cap层和应变的SiGe材...
- 史进
- 关键词：SIGESOI迁移率CMOS
- 文献传递
- 应变Si沟道异质结NMOS晶体管(英文)被引量：3
- 2002年
- 通过参数调整和工艺简化 ,制备了应变Si沟道的SiGeNMOS晶体管 .该器件利用弛豫SiGe缓冲层上的应变Si层作为导电沟道 ,相比于体Si器件在 1V栅压下电子迁移率最大可提高 48 5 % .
- 史进黄文涛陈培毅
- 关键词：NMOS晶体管迁移率锗化硅
- UHV/CVD自组织生长Ge量子点
- 利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10<'10>/cm<'2>,且其大小均匀性也...
- 罗广礼黄文韬史进黎晨陈培毅钱佩信
- 关键词：GE量子点自组织生长
- 文献传递
- 基于应变模型的SiGe PMOSFET性能模拟
- 本文在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能主要是跨导的影响.在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况出入较大的结果.本...
- 史进黎晨陈培毅罗广礼
- 关键词：SIGE器件性能模拟
- 文献传递
- SiGe HMOSFET的研制
- 本文介绍了SiGe HMOSFET器件的研制结果,显示SiGe HMOSFET器件性能明显优于纯硅器件.
- 陈培毅黎晨史进罗广礼黄文韬钱佩信
- 关键词：参数设计基本结构
- 文献传递
- 调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用被引量：7
- 2002年
- 在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,详细研究了长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能 (主要是跨导 )的影响。在器件模拟过程中 ,采用隐含的 Si Ge材料和 Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据前人的材料研究工作 ,引入了插值所得的近似因子 ,以修正 Silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后 ,依据修正后的模型对Si Ge PMOS进行了更为精确的二维模拟 。
- 史进黎晨陈培毅罗广礼
- 关键词：SIGE器件MOSFET调制掺杂跨导
