您的位置： 专家智库 > >

黎晨

作品数：11 被引量：18H指数：3
供职机构：清华大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 10篇电子电信

主题

  • 5篇SIGE
  • 3篇SOI
  • 2篇调制掺杂
  • 2篇SIGE器件
  • 2篇UHV/CV...
  • 2篇MOSFET
  • 2篇掺杂
  • 2篇PMOSFE...
  • 1篇导体
  • 1篇电路
  • 1篇性能模拟
  • 1篇养殖
  • 1篇幼虫
  • 1篇锗化硅
  • 1篇水系统
  • 1篇探测器
  • 1篇人工养殖
  • 1篇自组织生长
  • 1篇污损生物
  • 1篇量子

机构

  • 11篇清华大学
  • 2篇天津大学

作者

  • 11篇黎晨
  • 9篇陈培毅
  • 6篇罗广礼
  • 5篇钱佩信
  • 4篇史进
  • 2篇黄文韬
  • 2篇郭维廉
  • 2篇郑云光
  • 2篇李树荣
  • 2篇朱培喻
  • 1篇王旭昭
  • 1篇郑元芬
  • 1篇李永华
  • 1篇董志伟
  • 1篇刘志农
  • 1篇刘玮
  • 1篇陈莉
  • 1篇郭辉
  • 1篇吴霞宛
  • 1篇王兆印

传媒

  • 3篇第十二届全国...
  • 2篇Journa...
  • 1篇电子学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2003
  • 2篇2002
  • 6篇2001
  • 1篇2000
共 11 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
SiGe沟道SOI CMOS的设计及模拟被引量：2
2003年
在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 。
李树荣王纯王静郭维廉郑云光郑元芬陈培毅黎晨
关键词：SIGECMOS集成电路
UHV/CVD自组织生长Ge量子点
利用UHV/CVD设备自组织生长了Ge量子点.结果显示生长温度对量子点的尺寸、形状和分布有较大影响.550℃和600℃下生长的Ge量子点呈现为两种典型的尺寸,量子点密度都高于10<'10>/cm<'2>,且其大小均匀性也...
罗广礼黄文韬史进黎晨陈培毅钱佩信
关键词：GE量子点自组织生长
文献传递
CMOS兼容近红外Si_(0.7)Ge_(0.3)/Si p-i-n(SOI)光电探测器(英文)
2002年
报道了一种采用 U HV/CVD锗硅工艺和 CMOS工艺流程在 SOI衬底上制作的横向叉指状 Si0 .7Ge0 .3/Si p- i-n光电探测器 .测试结果表明 :其工作波长范围为 0 .7～ 1.1μm,在峰值响应波长为 0 .93μm,响应度为 0 .38A/W.在3.0 V的偏压下 ,其暗电流小于 1n A,寄生电容小于 1.0 p F,上升时间为 2 .5 ns.其良好的光电特性以及与 CMOS工艺的兼容性 ,为研制能有效工作于近红外光的高速、低工作电压硅基光电集成器件提供了一种新的尝试 。
郭辉郭维廉郑云光黎晨陈培毅李树荣吴霞宛
关键词：光电探测器SOI近红外
UHV/CVD硅锗膜的Raman光谱分析被引量：7
2001年
本文提出一种用Raman光谱测量SiGe合金膜中的锗组分及应变的方法 ,方法是非破坏的。并用这一方法测量了几种不同锗组分和膜厚度的SiGe合金样品 ,它们都是用UHV/CVD设备生长的。其中两个样品还与X 射线双晶衍射的结果作了比较 ,两种方法的结果十分一致 ,这说明本文提出的方法是准确可靠的。这些样品用于制作SiGe/Si异质结PMOSFET ,对 0 5 μm沟长器件 ,跨导达 112ms·mm-1。
朱培喻陈培毅黎晨罗广礼贾宏勇刘志农钱佩信
关键词：SIGE合金UHV/CVD拉曼光谱分析半导体薄膜
一种适合制作CMOS的SiGePMOSFET被引量：4
2001年
在通常适合于制作埋沟 Si Ge NMOSFET的 Si/弛豫 Si Ge/应变 Si/弛豫 Si Ge缓冲层 /渐变 Ge组分层的结构上 ,制作成功了 Si Ge PMOSFET.这种 Si Ge PMOSFET将更容易与 Si Ge NMOSFET集成 ,用于实现 Si Ge CMOS.实验测得这种结构的 Si Ge PMOSFET在栅压为 3.5 V时最大饱和跨导比用作对照的 Si PMOS提高约 2倍 ,而与常规的应变 Si
黎晨朱培喻罗广礼陈培毅钱佩信
关键词：CMOS锗化硅场效应晶体管
GeSi MOSFET的纵向结构对器件性能的影响
2000年
为了研究器件参数对GeSiMOSFET器件性能的影响 ,本文在建立一个简单的GeSiMOSFET的器件模型的基础上 ,对GeSiMOSFET的纵向结构进行了系统的理论分析 .确定了纵向结构的CAP层厚度、沟道层载流子面密度、DELTA掺杂浓度以及量子阱阱深之间的关系 ,得出了阈值电压与DELTA掺杂浓度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系 ,还得出了栅压与沟道载流子面密度、栅氧化层厚度及CAP层厚度之间的关系 .并且在此基础上得出了一些有意义的结果 .为了更细致、精确地进行分析 ,我们分别对GeSiPMOSFET和GeSiNMOSFET在MEDICI上做了模拟 .
董志伟黎晨陈培毅钱佩信
关键词：GESIMOSFET
调制掺杂层在SiGe PMOSFET中的应用被引量：7
2002年
在普通 Si器件性能模拟的基础上 ,详细研究了长沟应变 Si Ge器件的模拟 ,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能 (主要是跨导 )的影响。在器件模拟过程中 ,采用隐含的 Si Ge材料和 Si材料模型会得到与实际情况差别较大的结果。根据前人的材料研究工作 ,引入了插值所得的近似因子 ,以修正 Silvaco中隐含的 Si Ge能带模型和迁移率参数。然后 ,依据修正后的模型对Si Ge PMOS进行了更为精确的二维模拟 。
史进黎晨陈培毅罗广礼
关键词：SIGE器件MOSFET调制掺杂跨导
基于应变模型的SiGe PMOSFET性能模拟
本文在普通Si器件性能模拟的基础上,详细研究了长沟应变SiGe器件的模拟,并进一步探讨了调制掺杂层的引入对器件性能主要是跨导的影响.在器件模拟过程中,采用隐含的SiGe材料和Si材料模型会得到与实际情况出入较大的结果.本...
史进黎晨陈培毅罗广礼
关键词：SIGE器件性能模拟
文献传递
SiGe HMOSFET的研制
本文介绍了SiGe HMOSFET器件的研制结果,显示SiGe HMOSFET器件性能明显优于纯硅器件.
陈培毅黎晨史进罗广礼黄文韬钱佩信
关键词：参数设计基本结构
文献传递
生物附着装置
本发明一种生物附着装置，特别是具主动附着特性的浮游生物的附着装置，包括至少一个附着排，所述附着排包括多个附着板，所述附着装置还包括固定结构，所述固定结构包括固定架和固定座，同一个附着排上的各所述附着板彼此为平行结构。一方...
王兆印徐梦珍王旭昭黎晨刘玮李永华陈莉
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0