宣春
- 作品数：11 被引量：47H指数：4
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术核科学技术更多>>
- 不同频率高功率微波辐照下PCB电路的混合模拟被引量：4
- 2016年
- 采用一个混合模拟方法研究计算了不同频率高功率微波(HPM)辐照下含有PIN限幅器的PCB电路上的耦合信号该混合模拟方法基于瞬态电磁拓扑和器件/电路混合模拟技术,实现了场、路、器件的混合模拟,能够模拟计算出HPM辐照下屏蔽腔内PCB电路上的耦合信号。用该方法研究计算了频率分别为1,1.25和2.5 GHz的HPM在PC_B电路上的耦合信号,计算结果表明:当PCB电路无屏蔽腔时,1 GHz HPM的耦合信号最大,而PCB电路有屏蔽腔时,2.5 GHz HPM的耦合信号最大;PIN限幅器在耦合信号较大时具有较好的抑制作用。
- 谢海燕李勇宣春王建国
- 关键词：高功率微波PIN限幅器混合模拟
- 电磁脉冲作用下PIN二极管的响应被引量：23
- 2013年
- 采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。
- 李勇宣春谢海燕夏洪富王建国
- 关键词：电磁脉冲PIN二极管限幅器
- GSS软件1-0．1微米MOS器件基准测试
- 本文使用西北核技术研究所自行开发的二维通用半导体模拟软件 GSS[1]对 1um、0．35um 以及 90nm 沟道长度的 MOS 器件进行了基准测试。其中,1um 器件测试结果与商用软件 MEDICI 进行比对;0．3...
- 贡顶宣春张相华
- 文献传递
- 卫星运行视景仿真中的姿态控制研究被引量：12
- 2006年
- 针对卫星视景仿真中的卫星姿态控制问题,详细介绍了在虚拟场景中为使卫星保持在某一特定姿态,通过旋转变换实现卫星姿态控制的方法和具体算法。文中不仅介绍了在OpenGL开发环境中调整卫星姿态的方法和算法,而且针对Vega开发环境中VgPos函数的特殊要求,详细论证了同时对三个坐标轴分别旋转时依次确定三个旋转角的方法,并给出了求解三个旋转角的算法。文中描述的方法和算法对于开发虚拟仿真应用程序的研究人员具有借鉴意义。
- 杨平利王建国高有行宣春
- 关键词：卫星视景仿真VEGA
- 外磁场对介质表面次级电子倍增效应的影响被引量：2
- 2012年
- 本文采用Particle-in-cell数值方法模拟研究了不同强度外磁场条件下的次级电子倍增效应过程,分析了外磁场对次级电子倍增效应的影响.结果表明,当外磁场达到一定强度时,次级电子倍增效应在微波传输的一半时间内被抑制.通过外磁场抑制,在理想条件下可以使介质窗的微波传输功率容量提高4倍以上.
- 蔡利兵王建国朱湘琴王玥宣春夏洪富
- 关键词：外磁场数值模拟
- 半导体器件／电路混合模拟及其在HPM效应中的应用被引量：6
- 2009年
- 建立了自行研制的通用二维半导体器件数值模拟软件GSRES与电子电路仿真软件SPICE的接口;实现了半导体器件/电路混合模拟功能,从而将电子系统的高功率微波效应模拟容纳到电路模拟的框架下;给出对CMOS反相器及典型数字电路的混合模拟算例。计算结果验证了该方法的可行性及有效性.
- 宣春贡顶谢海燕王建国
- 关键词：半导体器件电子系统高功率微波混合模拟
- 高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
- 2015年
- 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。
- 李勇谢海燕杨志强宣春夏洪富
- 关键词：高功率微波金属氧化物半导体场效应管半导体
- 单向瞬态电压抑制二极管的参数提取被引量：2
- 2016年
- 在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。
- 李勇谢海燕杨志强夏洪富宣春王建国
- 关键词：TVS二极管数值模拟
- 计算电磁学研究中的V&V方法概述被引量：3
- 2016年
- 随着数值模拟在电磁学研究中发挥的作用越来越大,验证与确认技术也越来越得到研究者的重视。介绍了验证与确认(V&V)技术的基本概念、发展简况、具体研究对象和研究方法。总结和概括了目前国内外在电磁场计算中已经开展的V&V研究工作,介绍了IEEE制定的计算电磁学建模与模拟确认标准。介绍了本单位目前在程序验证、物理模型误差分析、计算模型参数提取等方面开展的V&V工作,讨论了V&V研究在计算电磁学中发挥的作用及可能的研究方向。
- 李勇谢海燕宣春夏洪富王建国
- 关键词：电磁学数值模拟
- 半导体器件/电路混合模拟在EMP效应数值模拟中的应用
- 电子设备和系统大多是由高集成度的电路为核心,半导体器件是它们的基本组成部分。电磁脉冲(EMP)可以通过电子系统上的缝隙或天线等耦合进入系统,使系统内的电子器件或线路发生干扰、翻转或烧毁。因此,研究电磁脉冲对电子系统的作用...
- 宣春贡顶谢海燕王建国
- 关键词：半导体器件电子系统电磁脉冲数值模拟混合模拟
- 文献传递
