李勇
- 作品数：13 被引量：40H指数：3
- 供职机构：西北核技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技工业技术基础科研项目国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- 电磁脉冲作用下PIN二极管的响应被引量：23
- 2013年
- 采用自主开发的二维半导体器件效应模拟软件,对电磁脉冲作用下PIN二极管的响应进行了数值模拟研究,分析了PIN管在脉冲电压上升沿时间内出现的电流过冲现象。结果表明:过冲电流与高频下PIN二极管的电容性有关,过冲电流的峰值与上升沿时间有关,上升沿时间越短,峰值越大;PIN管的掺杂也会对过冲电流产生影响,P层、N层的掺杂浓度越高,过冲电流的峰值越大,过冲电流的波形下降越快;I层掺杂浓度对过冲电流也有一定影响,但并不显著。
- 李勇宣春谢海燕夏洪富王建国
- 关键词：电磁脉冲PIN二极管限幅器
- 移动坐标系FDTD方法在脉冲波传播中的应用被引量：2
- 2010年
- 通过在时域有限差分(FDTD)方法中引入移动坐标系,解决了一般FDTD方法处理脉冲长距离传播时面临的困难。推导了移动坐标系下的场方程和FDTD差分格式,并将该方法应用于模拟波导中电磁脉冲的传播。计算结果表明,在传播过程中,脉冲波包沿传播方向逐渐展宽,脉冲的峰值场强变小,同时出现了色散现象,脉冲中传播较慢的成分逐渐移向尾部,产生带尾态,这与一般FDTD方法得到的计算结果接近。多个频率的计算结果表明,该方法与一般FDTD方法得到的数据的相对误差小于0.1%,验证了方法的可行性和正确性。
- 李勇李勇
- 关键词：时域有限差分电磁脉冲
- 不同频率高功率微波辐照下PCB电路的混合模拟被引量：4
- 2016年
- 采用一个混合模拟方法研究计算了不同频率高功率微波(HPM)辐照下含有PIN限幅器的PCB电路上的耦合信号该混合模拟方法基于瞬态电磁拓扑和器件/电路混合模拟技术,实现了场、路、器件的混合模拟,能够模拟计算出HPM辐照下屏蔽腔内PCB电路上的耦合信号。用该方法研究计算了频率分别为1,1.25和2.5 GHz的HPM在PC_B电路上的耦合信号,计算结果表明:当PCB电路无屏蔽腔时,1 GHz HPM的耦合信号最大,而PCB电路有屏蔽腔时,2.5 GHz HPM的耦合信号最大;PIN限幅器在耦合信号较大时具有较好的抑制作用。
- 谢海燕李勇宣春王建国
- 关键词：高功率微波PIN限幅器混合模拟
- 基于深度神经网络的架空线电磁脉冲传导环境的预测方法
- 本发明属于电磁干扰技术领域，公开了一种基于深度神经网络的架空线电磁脉冲传导环境的预测方法。首先构建架空线电磁脉冲传导环境快速预测模型，主要建立步骤为确定传导环境的主要输入变量和输出参数，通过数值模拟计算获得大量取样点上的...
- 谢海燕刘钰李勇张茂钰乔海亮
- 文献传递
- 基于深度神经网络的架空线电磁脉冲传导环境的预测方法
- 本发明属于电磁干扰技术领域，公开了一种基于深度神经网络的架空线电磁脉冲传导环境的预测方法。首先构建架空线电磁脉冲传导环境快速预测模型，主要建立步骤为确定传导环境的主要输入变量和输出参数，通过数值模拟计算获得大量取样点上的...
- 谢海燕刘钰李勇张茂钰乔海亮
- 波导内置硅块对高功率太赫兹脉冲的响应被引量：4
- 2013年
- 利用三维电磁场时域有限差分法,对0.3～0.4THz高功率太赫兹脉冲作用下置于矩形波导内部宽边中心的n型硅块响应规律进行了研究。通过对置入硅块前后矩形波导内电磁场分布、电压驻波比及硅块内平均电场的模拟分析,得出硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的响应规律,硅块长、宽、高和电阻率均会对波导内电压驻波系数产生影响,其中以高度影响最为明显;硅块内平均电场在低频段和高频段单调性不一致。最后,在优化硅块长、宽、高及电阻率的基础上,给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲直接测量的电阻探测器芯片设计方案,其相对灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过14%,电压驻波比不大于1.34。
- 王雪锋王建国王光强童长江李爽李勇
- 关键词：高功率太赫兹矩形波导
- GGMOS型静电放电防护器件的高功率微波效应
- 2016年
- 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下GGMOS型的静电放电(ESD)防护器件效应进行了数值模拟研究。对ESD器件在HPM作用下的响应特性及器件内部的物理图像进行了数值模拟。数值模拟的结果表明,外部注入HPM信号的幅值和频率是影响ESD器件的因素,在加载30ns脉宽的HPM脉冲作用下,器件内部达到的最高温度与信号幅值成正指数关系。在给ESD注入相同幅值的HPM信号时,频率越大,器件达到失效温度所需要的时间越长。
- 黄志娟刘美琴贡顶李勇杨志强
- 关键词：高功率微波MOSFET
- 高功率微波作用下金属氧化物半导体场效应管响应
- 2015年
- 采用基于半导体漂移扩散模型的数值模拟软件对高功率微波(HPM)作用下金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)的响应进行了数值模拟研究。对MOSFET在HPM作用下的输出特性以及器件内部响应进行了数值模拟。计算结果表明,在MOSFET栅极加载HPM后,随着注入HPM幅值的增大,会使得器件的正向电压小于开启电压,从而使得输出电流的波形发生形变。在器件内部,导电沟道靠近源极一端的电场强度最大,热量产生集中在这一区域。在脉冲正半周期时,温度峰值位于沟道源极一端,负半周期时,器件内部几乎没有电流,器件内的温度峰值在热扩散效应的影响下趋向于导电沟道中部。
- 李勇谢海燕杨志强宣春夏洪富
- 关键词：高功率微波金属氧化物半导体场效应管半导体
- 单向瞬态电压抑制二极管的参数提取被引量：2
- 2016年
- 在半导体器件高功率电磁脉冲效应数值模拟中,真实器件的物理模型构建较为困难。为了解决这一问题,以某型单向瞬态电压抑制(TVS)二极管为例,对其进行测试获取建模所需的参数信息。通过X光成像、扫描电子显微镜(SEM)及杂质染色等技术手段,获得了该器件PN结正对面积大小、PN结深度等结构参数。通过实验测量了二极管的反向击穿电压和电容曲线,结合数值计算,推导出了二极管的杂质浓度。利用本次实验获得的参数,结合数值计算的结果,建立了该型号二极管的真实半导体物理模型。对该模型进行了数值仿真,计算了器件的伏安响应曲线并与实验值进行了比对,计算结果与实验值吻合较好。本次的方法除了可以直接用于PN结型器件的建模外,也为其他器件物理模型的建立提供了参考,可在半导体器件效应数值模拟研究中得到应用。
- 李勇谢海燕杨志强夏洪富宣春王建国
- 关键词：TVS二极管数值模拟
- 计算电磁学研究中的V&V方法概述被引量：3
- 2016年
- 随着数值模拟在电磁学研究中发挥的作用越来越大,验证与确认技术也越来越得到研究者的重视。介绍了验证与确认(V&V)技术的基本概念、发展简况、具体研究对象和研究方法。总结和概括了目前国内外在电磁场计算中已经开展的V&V研究工作,介绍了IEEE制定的计算电磁学建模与模拟确认标准。介绍了本单位目前在程序验证、物理模型误差分析、计算模型参数提取等方面开展的V&V工作,讨论了V&V研究在计算电磁学中发挥的作用及可能的研究方向。
- 李勇谢海燕宣春夏洪富王建国
- 关键词：电磁学数值模拟
