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张德学

作品数:5 被引量:6H指数:1
供职机构:北京工业大学材料科学与工程学院新型功能材料教育部重点实验室更多>>
发文基金:北京市自然科学基金北京市科技新星计划教育部“优秀青年教师资助计划”更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇理学
  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 3篇溅射
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化硼
  • 2篇氮化硼薄膜
  • 2篇气相沉积
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇数对
  • 1篇碳化硅
  • 1篇立方氮化硼
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米碳
  • 1篇纳米碳化硅
  • 1篇溅射参数
  • 1篇溅射气压
  • 1篇工艺参
  • 1篇光谱
  • 1篇红外

机构

  • 5篇北京工业大学
  • 1篇北京理工大学

作者

  • 5篇张德学
  • 4篇严辉
  • 3篇宋雪梅
  • 3篇黄安平
  • 3篇王玫
  • 3篇王波
  • 1篇陈光华
  • 1篇张生俊
  • 1篇王波
  • 1篇邹云娟
  • 1篇廖波
  • 1篇王如志

传媒

  • 1篇功能材料
  • 1篇第二届全国金...

年份

  • 1篇2002
  • 4篇2001
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
BN薄膜的高温诱导取向生长
本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究...
王玫张德学黄安平王如志李健超王波严辉
关键词:氮化硼
文献传递
工艺参数对氮化硼薄膜结构相的影响
该文采用微波电子回旋共振化学气相沉积(MW-ECR-CVD)、射频耦合等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及射睚磁控溅射技术制备出完全取向生长的h-BN薄膜.用FTIR、XRD、AFM、XPS等手段对沉积薄膜进行了表征...
张德学
关键词:化学气相沉积射频磁控溅射衬底温度
文献传递
纳米碳化硅(SiC)薄膜结构与溅射参数的关系
本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si(100)衬底上制备出了纳米SiC薄膜。采用高分辨原子力显微镜(AFM),观察到在合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱(FTIR)的结果相吻合。改...
王玫黄安平张德学宋雪梅王波严辉廖波
关键词:纳米SIC薄膜FTIRAFM
文献传递
溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响被引量:6
2002年
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积cBN薄膜,研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响。结果表明,随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中cBN相含量的减小。
王波王玫张德学黄安平宋雪梅邹云娟严辉
关键词:立方氮化硼红外光谱溅射气压
BN薄膜的ECR CVD制备及结构
氮化硼是一种有着多种型态,多种优异性能和多种应用的Ⅲ-Ⅴ族二元化合物,多年来一直受到很大关注.本文利用微波电子回旋共振化学气相沉积(MW-ECR CVD)系统制备了BN薄膜.XRD结果表明薄膜为h-BN和r-BN的混合相...
张生俊陈光华严辉王波张德学宋雪梅
关键词:化学气相沉积氮化硼薄膜
文献传递
共1页<1>
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