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彭恩超

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇会议论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇氮化镓
  • 6篇迁移率
  • 5篇铝镓氮
  • 5篇晶体管
  • 4篇电子迁移率
  • 4篇异质结
  • 4篇势垒
  • 4篇双异质结
  • 4篇二维电子
  • 4篇二维电子气
  • 4篇高电子迁移率
  • 4篇高电子迁移率...
  • 3篇势垒层
  • 3篇迁移
  • 3篇沟道
  • 3篇HEMT
  • 2篇双异质结构
  • 2篇缺陷密度
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化铝

机构

  • 8篇中国科学院
  • 1篇西安交通大学

作者

  • 8篇彭恩超
  • 8篇王晓亮
  • 8篇王翠梅
  • 7篇姜丽娟
  • 7篇肖红领
  • 7篇冯春

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法
本发明提供一种具有复合空间层的氮化镓场效应晶体管结构及制作方法，该结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂氮化镓制作在成核层的上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂...
王翠梅王晓亮彭恩超肖红领冯春姜丽娟陈竑
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非...
王晓亮王翠梅肖红领彭恩超冯春姜丽娟陈竑
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具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂...
王晓亮彭恩超王翠梅肖红领冯春姜丽娟陈竑
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铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作...
王晓亮彭恩超王翠梅肖红领冯春姜丽娟陈竑
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具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
一种具势垒层的氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率沟道层，该非有意掺杂高迁移率沟道层制作在非有意掺杂...
王晓亮彭恩超王翠梅肖红领冯春姜丽娟陈竑
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铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT及制作方法
一种铝镓氮做高阻层的双异质结氮化镓基HEMT，包括：一衬底；一成核层制作在衬底上面，其厚度为0.01-0.50μm；一非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂高迁移率层制作在非有意掺杂高阻层上面；一氮化铝插入层制作...
王晓亮彭恩超王翠梅肖红领冯春姜丽娟陈竑
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AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEMT结构电子限制特性研究
通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程模拟计算了AlGaN/AlN/GaN/AlN/AlGaN双异质HEHT结构。采用AlGaN缓冲层代替传统的GaN缓冲层，有效地消除了传统AlGaN/AlN/GaN/AlN/GaN双沟道结构...
彭恩超Enchao PengXiaoliang Wang王晓亮Hongling Xiao肖红领Cuimei Wang王翠梅Chun Feng冯春Lijuan Jiang姜丽娟Haibo Yin殷海波Hong Chen陈弘王占国Zhanguo WangXun Hou侯洵
关键词：场效应器件高电子迁移率晶体管氮化物半导体
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双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
一种双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上面；一非有意掺杂高阻层，该非有意掺杂高阻层制作在成核层上面；一非有意掺杂插入层，该非有意掺杂插入层制作在非有意掺杂高阻层上面；一非...
王晓亮王翠梅肖红领彭恩超冯春姜丽娟陈竑
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