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武玫

作品数：64 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 62篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 45篇电子电信
  • 2篇化学工程

主题

  • 28篇电极
  • 19篇势垒
  • 18篇栅电极
  • 17篇势垒层
  • 11篇刻蚀
  • 11篇沟道
  • 10篇金刚石
  • 10篇刚石
  • 9篇散热
  • 9篇散热能力
  • 9篇迁移率
  • 9篇二极管
  • 8篇晶体管
  • 7篇异质结
  • 6篇电阻
  • 6篇对接
  • 6篇氧化镓
  • 6篇栅宽
  • 6篇无缝对接
  • 6篇肖特基

机构

  • 64篇西安电子科技...

作者

  • 64篇武玫
  • 57篇马晓华
  • 55篇郝跃
  • 53篇杨凌
  • 50篇张濛
  • 49篇侯斌
  • 17篇朱青
  • 7篇王平
  • 6篇王瑜
  • 4篇王冲
  • 4篇马佩军
  • 3篇吕玲
  • 3篇陈南
  • 3篇裴昌幸
  • 3篇何先灯
  • 3篇易运晖
  • 3篇聂帅
  • 3篇董如月
  • 3篇陈炽
  • 1篇聂敏

年份

  • 3篇2024
  • 12篇2023
  • 25篇2022
  • 11篇2021
  • 3篇2020
  • 4篇2019
  • 2篇2018
  • 2篇2014
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 64 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法，包括：金刚石衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、介质层、p型金刚石层和栅介质层；AlGaN势垒层上设置有第一源电极和第一漏电极以及第...
马晓华武玫李仕明杨凌张濛侯斌郝跃
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基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法
本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET，包括n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<...
侯斌马晓华贾富春陈孝升杨凌张濛武玫郝跃
一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法，该器件包括：衬底层；GaN外延层，形成于衬底层上；源电极，形成于GaN外延层上；漏电极，形成于GaN外延层上；第一钝化层，形成于GaN外延层上；第二钝化层，形成于第一钝化...
马晓华芦浩杨凌侯斌邓龙格陈炽武玫张濛郝跃
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法
本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的结温测试方法，主要解决现有方法测量结温偏低的问题，其实现方案是：采用脉冲测试方法对器件的肖特基正向特性进行测试，提取栅源电阻R<Sub>S0</Sub>与肖特基串联电...
马晓华武玫闵丹杨凌郝跃
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一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法
本发明涉及一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法，包括步骤：选取衬底；在衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；依次去除所述衬底、...
马晓华王瑜郝跃武玫马佩军
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一种n型氧化镓p型金刚石的MPS二极管及其制备方法
本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法，采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结，阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构，相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处...
武玫杨凌贾富春王雨晨侯斌张濛朱青马晓华郝跃
基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件及其制作方法
本发明公开了一种基于栅源漏一体化沉积的氮化镓器件，氮化镓器件包括：衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、以及位于AlGaN势垒层远离衬底一侧的SiN钝化层、源电极、漏电极和栅电极；AlGaN势垒层的第一表面...
马晓华司泽艳芦浩侯斌杨凌鲁微武玫郝跃
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基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层，还包括：源电极、漏电极以及栅电极；其中，在水平方向上，所述...
马晓华程可武玫朱青张濛侯斌杨凌郝跃
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高电子迁移率晶体管的热可靠性评估方法
本发明公开了一种高电子迁移率晶体管热可靠性的评估方法，主要解决现有方法对器件热可靠性评估不准确的问题，其实现方案是：1)采用脉冲法测量不同温度下器件的输出特性，提取饱和漏电流随温度的变化关系作为校准曲线；2)采用直流法测...
马晓华武玫郝跃闵丹王瑜
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基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状p型掺杂金刚石的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层以及缓冲层；源、漏、栅电极分别穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有...
马晓华武玫程可朱青张濛侯斌杨凌郝跃
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