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张濛
作品数:
87
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供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
化学工程
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合作作者
马晓华
西安电子科技大学
杨凌
西安电子科技大学
郝跃
西安电子科技大学
侯斌
西安电子科技大学
武玫
西安电子科技大学
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作者
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张濛
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马晓华
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杨凌
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2016
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一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法,包括:金刚石衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、介质层、p型金刚石层和栅介质层;AlGaN势垒层上设置有第一源电极和第一漏电极以及第...
马晓华
武玫
李仕明
杨凌
张濛
侯斌
郝跃
文献传递
基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法
本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET,包括n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<...
侯斌
马晓华
贾富春
陈孝升
杨凌
张濛
武玫
郝跃
一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法,该器件包括:衬底层;GaN外延层,形成于衬底层上;源电极,形成于GaN外延层上;漏电极,形成于GaN外延层上;第一钝化层,形成于GaN外延层上;第二钝化层,形成于第一钝化...
马晓华
芦浩
杨凌
侯斌
邓龙格
陈炽
武玫
张濛
郝跃
文献传递
基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法
本发明涉及一种基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法,该器件包括:衬底层;缓冲层,位于衬底层上;沟道层,位于缓冲层上;源极,位于沟道层的一端;漏极,位于沟道层的另一端;插入层,位于沟道层上,且位于源极和漏极之...
张濛
郭思音
马晓华
陈怡霖
宓珉瀚
朱青
一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin?HEMT器件及其制备方法,器件包括衬底、异质结材料、Fin结构,以及栅金属,所述异质结材料设置在衬底上表面,Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin,栅金属设置在Fin结构上...
张鹏
宓珉翰
何云龙
张濛
马晓华
郝跃
文献传递
一种n型氧化镓p型金刚石的MPS二极管及其制备方法
本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法,采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结,阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构,相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处...
武玫
杨凌
贾富春
王雨晨
侯斌
张濛
朱青
马晓华
郝跃
基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法;该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层,还包括:源电极、漏电极以及栅电极;其中,在水平方向上,所述...
马晓华
程可
武玫
朱青
张濛
侯斌
杨凌
郝跃
文献传递
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法;该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层;中间层包括势垒层和缓冲层;源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触;中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽,插指型凹槽...
武玫
马晓华
程可
朱青
张濛
侯斌
杨凌
郝跃
一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法
本发明公开了一种氮化物势垒应力调制器件及其制备方法,该方法包括:在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、复合沟道层、氮化物势垒层和第一钝化层;刻蚀第一钝化层、氮化物势垒层和复合沟道层形成器件之间的隔离;在氮化物势垒层形成的源电...
杨凌
马晓华
芦浩
邓龙格
侯斌
朱青
武玫
张濛
郝跃
一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法
本发明公开了一种高铝组分氮化物欧姆接触器件及其制备方法,制备方法包括:在衬底层上依次生长成核层、缓冲层、沟道层、插入层和高铝组分氮化物势垒层;刻蚀部分高铝组分氮化物势垒层、部分插入层和部分沟道层直至缓冲层内;在高铝组分氮...
马晓华
芦浩
邓龙格
杨凌
侯斌
陈炽
武玫
张濛
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