汪六九
- 作品数：7 被引量：46H指数：2
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- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 等离子体-热丝CVD技术制备多晶硅薄膜被引量：15
- 2003年
- 采用热丝化学气相沉积和等离子体增强化学气相沉积相结合的技术制备了多晶硅薄膜 ,通过 Raman散射、XRD、吸收谱等手段研究了薄膜结构和光学性质 .结果表明 ,与单纯的热丝和等离子体技术相比 ,等离子体 -热丝CVD技术在一定条件下有助于薄膜的晶化和提高薄膜均匀性 .Auger谱研究表明等离子体的引入大大降低了硅化物在高温热丝表面的形成 .
- 刘丰珍朱美芳冯勇刘金龙汪六九韩一琴
- 关键词：多晶硅薄膜光学性质
- 微晶硅薄膜的电输运性质
- 考虑到微晶硅薄膜的柱状结晶生长,用二维结构渗流模型模拟计算了模型暗电导率随晶态比的变化.
- 刘丰珍朱美芳冯勇韩一琴刘金龙汪六九
- 关键词：微晶硅薄膜电输运特性太阳能电池
- 氢稀释度对微晶硅薄膜成核、生长的影响
- 采用热丝技术研究了在氢稀释度R<,H>=90﹪、98﹪及99﹪条件下玻璃衬底上硅的成核情况.在成核初期,氢稀释度为98﹪和99﹪条件下成核密度比90﹪高;在相同的氢稀释条件下生长20分钟后,低成核密度的样品对应较大的晶粒...
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- 关键词：微晶硅薄膜薄膜生长
- 文献传递
- 热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性被引量：34
- 2003年
- 以金属W和Ta为热丝 ,采用热丝化学气相沉积 ,在 2 5 0℃玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜 .研究了热丝温度、沉积气压、热丝与衬底间距等沉积参数对硅薄膜结构和光电特性的影响 ,在优化条件下获得晶态比Xc>90 % ,暗电导率σd=10 - 7— 10 - 6 Ω- 1 cm- 1 ,激活能Ea=0 5eV ,光能隙Eopt≤ 1 3eV的多晶硅薄膜 .
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- 关键词：热丝化学气相沉积多晶硅薄膜光电特性激活能
- 微晶硅薄膜电输运各向异性的研究
- 采用热丝技术,通过改变氢稀释度获得不同晶态比的微晶硅薄膜,对薄膜的直流共面电导和交流夹心电导测量表明,在晶态比0.43<X<0.8范围,薄膜电输运具有明显的各向异性,当X>0.8时,各向异性减弱。讨论了薄膜结构与输运各向...
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- 关键词：微晶硅电输运各向异性
- 文献传递
- 等离子体助热丝CVD技术制备多晶硅薄膜
- 将等离子体引入热丝化学气相沉积(HWCVD),制备了多晶硅薄膜,通过Raman散射、XRD、红外吸收谱等手段研究了薄膜结构性质.结果表明,与单纯的热丝技术相比,等离子体助热丝CVD技术(PE-HWCVD)在一定条件下有助...
- 刘丰珍朱美芳刘金龙汪六九韩一琴
- 关键词：等离子体多晶硅薄膜热丝化学气相沉积
- 文献传递
- HWCVD热丝对硅基薄膜沉积的影响
- 研究热丝化学气相沉积（HWCVD）中高温热丝对衬底温度的影响,热丝扫描电镜表面形貌和Auger谱表明了硅在钨丝表面的沉积,讨论了金属硅化物形成及对薄膜性能的影响,提出了减少热丝表面硅沉积的方法,获得了器件质量非晶硅薄膜。
- 汪六九刘丰珍朱美芳冯勇
- 文献传递
