王文平
- 作品数：13 被引量：7H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种场效应晶体管
- 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。本发...
- 黄如王文平张兴王阳元
- 文献传递
- 一种非对称栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 一种非对称栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 纳米级精细线条图形的微细加工被引量：3
- 2004年
- 对分辨率极高的电子束光刻技术和高选择比、高各向异性度的 ICP刻蚀技术进行了研究 ,形成一套以负性化学放大胶 SAL- 6 0 1为电子抗蚀剂的电子束光刻及 ICP刻蚀的优化工艺参数 ,并利用这些优化参数结合电子束邻近效应校正等技术制备出剖面形貌较为清晰的 30 nm精细线条图形 .
- 任黎明王文平陈宝钦周毅黄如张兴
- 关键词：微细加工电子束光刻邻近效应校正ICP刻蚀
- 一种厚膜SOI场效应晶体管
- 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 一种组合栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，...
- 杨胜齐刘文安黄如王文平张兴王阳元
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- 亚100nm SOI器件的结构优化分析被引量：4
- 2003年
- 分析了SOI器件各结构参数对器件性能的影响 ,给出了器件各结构参数的优化方向 ,找出了可行硅膜厚度和可行沟道掺杂浓度之间的设计容区 .在部分耗尽与全耗尽SOI器件的交界处 ,阈值电压的漂移有一个峰值 ,在器件设计时应避免选用这一交界区 .此外 ,随着硅膜厚度的减小 ,器件的泄漏电流随着沟道掺杂浓度的不同 ,有一个极小值 .通过模拟分析发现 ,只要合理选择器件的结构参数 。
- 王文平黄如张国艳
- 关键词：SOI器件短沟效应结构优化
- 一种场效应晶体管
- 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。本发...
- 黄如王文平张兴王阳元
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- 基于电感耦合等离子体刻蚀多晶硅及制备超细线条的方法
- 一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ICP刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的SF<Sub>6</...
- 王文平黄如任黎明张兴王阳元
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- 一种组合栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，...
- 杨胜齐刘文安黄如王文平张兴王阳元
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