- 利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法
- 本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶...
- 黎明杨胜齐黄如何进张兴王阳元
- 文献传递
- 利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法
- 本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规CMOS工艺制备出场效应晶...
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- 对异型硅岛实现的厚膜全耗尽SOI MOSFET的模拟研究
- 2002年
- 本文提出了用异型硅岛实现的厚膜全耗尽 (FD)SOIMOSFET的新结构 ,并分析了其性能与结构参数的关系 .通过在厚膜SOIMOSFET靠近背栅的界面形成一个相反掺杂的硅岛 ,从而使得厚膜SOIMOSFET变成全耗尽器件 .二维模拟显示 ,通过对异型硅岛的宽度、厚度、掺杂浓度以及在沟道中位置的分析与设计 ,厚膜SOIMOSFET不仅实现了全耗尽 ,从而克服了其固有的Kink效应 ,而且驱动电流也大大增加 ,器件速度明显提高 ,同时短沟性能也得到改善 .模拟结果证明 :优化的异型硅岛应该位于硅膜的底部中央处 ,整个宽度约为沟道长度的五分之三 ,厚度大约等于硅膜厚度的一半 ,掺杂浓度只要高出硅膜的掺杂浓度即可 .重要的是 ,异型硅岛的设计允许其厚度、宽度、掺杂浓度以及位置的较大波动 .可以看出 。
- 杨胜齐何进黄如张兴
- 关键词：KINK效应集成电路
- 一种组合栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，...
- 杨胜齐刘文安黄如王文平张兴王阳元
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- 一种厚膜SOI场效应晶体管
- 本发明公开了一种厚膜SOI场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服SOI器件固有的Kink效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜SOI场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏靠近沟道一边的侧面和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为...
- 黎明黄如杨胜齐张兴王阳元
- 文献传递
- 一种非对称栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 一种非对称栅场效应晶体管
- 本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的...
- 杨胜齐何进黄如王文平张兴王阳元
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- 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
- 本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部...
- 黎明黄如杨胜齐张兴王阳元
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- 亚100nm器件物理与结构研究
- 该文就深亚微米MOS器件所面临的问题进行了相关的文献调研,在此基础上提出了非对称栅场效应晶体管（Asymmetric Gate FET）、组合栅场效应晶体管（Combined Material Gate FET...
- 杨胜齐
- 关键词：场效应晶体管MOSFET
