赵宏锦
- 作品数：13 被引量：33H指数：3
- 供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术理学更多>>
- AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜.采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜微图形.较好地解决了AlN薄膜制备与加工中...
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射刻蚀工艺
- 文献传递
- 硅基PZT薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：11
- 2001年
- 采用溶胶 -凝胶 ( Sol- Gel)法制备了 PZT薄膜 ,在 60 0°C的退火温度下即获得了晶化完善的钙钛矿铁电相结构。采用典型的半导体光刻工艺 ,利用 HCl/ HF刻蚀溶液成功地获得刻蚀线条分辨率达微米量级的 PZT薄膜微图形。较好的解决了有关 PZT薄膜制备与加工中存在的关键问题 ,为硅基铁电薄膜器件的实现奠定了良好的工艺基础。
- 赵宏锦刘建设任天令刘燕翔刘理天李志坚
- 关键词：锆钛酸铅刻蚀工艺PZT薄膜硅基
- 应用于DRAM的BST薄膜制备与性能研究被引量：4
- 2002年
- BaxSr1-xTiO3(BST)是动态随机存取存储器(DRAM)中常规电容介质SiO2的替代材料。用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法在Si及Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了较高品质的BST薄膜。系统地研究了在不同退火条件下薄膜的结晶情况、微结构和电学性能。在室温100kHz下,薄膜的介电常数为230。在3V的偏压下,薄膜的漏电流密度为1.6×10-7A/cm2。利用HCl/HF刻蚀溶液成功获得了分辨率达到微米量级的BST薄膜微图形。
- 王小宁刘建设任天令赵宏锦邵天奇刘理天
- 关键词：DRAMBST薄膜溶胶-凝胶法刻蚀动态随机存取存储器钛酸锶钡
- 硅基AlN薄膜的成分与表面分析
- 采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基AlN薄膜.用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析.
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜表面形貌磁控反应溅射
- 文献传递
- 硅基AIN薄膜的成分与表面分析
- 采用直流磁控反应溅射法制备了具有较好(002)择优取向性的硅基A1N薄膜。用俄歇电子能谱(AES)、扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)对薄膜的组成成分和表面形貌进行了分析。
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜表面形貌
- 文献传递
- 基于MEMS应用的硅基压电材料基础工艺研究
- 赵宏锦
- 关键词：压电集成技术厚膜
- PZT厚膜UCPBG结构的射频天线研究
- 2001年
- 采用了丝网印刷工艺在硅片上制备了锆钛酸铅 (PZT)薄膜 ,进行了相应的工艺分析。设计并仿真了平面光子带隙 (UCPBG)结构 ,测试了结构的电磁参数 ,证实了结构的可行性。在此基础上提出了一种基于 PZT厚膜工艺和平面光子带隙结构的微型射频 (RF)
- 林州任天令赵宏锦刘理天
- 关键词：丝网印刷锆钛酸铅射频天线PZT厚膜
- 直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜被引量：13
- 2005年
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°～0.40°,折射率约为2.07。
- 于毅赵宏锦高占友任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射
- 硅基铁电薄膜集成技术研究及薄膜谐振器的研制
- 赵宏锦
- 关键词：铁电薄膜集成电路硅谐振器
- AlN薄膜的制备与刻蚀工艺研究被引量：3
- 2003年
- 采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了具有较好(002)择优取向性的AlN薄膜。采用典型的半导体光刻工艺,利用刻蚀溶液成功地获得了AlN薄膜徽图形。较好地解决了AlN薄膜制备与加工中存在的关键问题,为高品质硅基AlN薄膜滤波器的实现奠定了良好的工艺基础。
- 于毅赵宏锦任天令刘理天
- 关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射
