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高占友

作品数：1 被引量：13H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院微电子学研究所更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇氮化铝
  • 1篇氮化铝薄膜
  • 1篇直流磁控
  • 1篇直流磁控反应...
  • 1篇溅射
  • 1篇硅基
  • 1篇反应溅射
  • 1篇ALN薄膜
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控反应溅射

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇任天令
  • 1篇赵宏锦
  • 1篇于毅
  • 1篇刘理天
  • 1篇高占友

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2005
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜被引量：13
2005年
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°～0.40°,折射率约为2.07。
于毅赵宏锦高占友任天令刘理天
关键词：氮化铝薄膜直流磁控反应溅射
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