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高占友
作品数:
1
被引量:13
H指数:1
供职机构:
清华大学信息科学技术学院微电子学研究所
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发文基金:
国家重点基础研究发展计划
国家高技术研究发展计划
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相关领域:
电子电信
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合作作者
刘理天
清华大学信息科学技术学院微电子...
于毅
清华大学信息科学技术学院微电子...
赵宏锦
清华大学信息科学技术学院微电子...
任天令
清华大学信息科学技术学院微电子...
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于毅
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高占友
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压电与声光
年份
1篇
2005
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直流磁控反应溅射制备硅基AlN薄膜
被引量:13
2005年
采用直流磁控反应溅射法,在Si(100)和Pt/Ti/Si(100)上制备了AlN薄膜。用X-射线衍射(XRD)、电镜扫描(SEM)、原子力显微(AFM)对薄膜的晶向结构和表面形貌进行了分析,研究了不同工艺参数对薄膜择优取向的影响,分析了AlN晶粒生长的有关机理。制备出的AlN薄膜显示出较好的(002)面择优取向性,半高宽(FWHM)为0.35°~0.40°,折射率约为2.07。
于毅
赵宏锦
高占友
任天令
刘理天
关键词:
氮化铝薄膜
直流磁控反应溅射
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