赵登涛
- 作品数：17 被引量：31H指数：4
- 供职机构：复旦大学更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术化学工程更多>>
- 平面光波导偏振器的设计及其结构
- 本发明是利用光子晶体理论设计的一种新型平面光波导偏振器。现有波导偏振器由于传输损耗大,消光比低,所以在集成光学中并不实用。本发明用光子晶体理论先设计高反膜系,然后引入缺陷层,再调节缺陷层的参数,使得不同偏振态光的缺陷态对...
- 施斌赵登涛樊永良王迅
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- 非晶氧化铝薄膜的反应溅射制备及其电性能的研究
- 本文利用反应溅射制备了厚度为8nm到100nm的非晶或微晶Al2O3薄膜，并对其多项电学性能对工艺的依赖性作了研究，特别是对样品的时效现象作了比较详细的研究。实验结果表明，适当低的气压和功率容易制备出优质薄膜，即使在8n...
- 赵登涛
- 关键词：氧化铝薄膜反应溅射
- 文献传递
- Si(001)斜切衬底片上Ge量子点的固相外延生长
- 本文研究了Si(001)6°斜切衬底上Ge量子点的固相外延生长,同时对Si(001)斜切衬底片上固相外延Ge最子点的稳定性进行了研究.
- 胡冬枝赵登涛蒋伟荣施斌顾骁骁张翔九蒋最敏
- 关键词：固相外延生长GE量子点SI衬底稳定性
- 文献传递
- 梯度磁场中薄膜厚度梯度的形成机理被引量：1
- 2002年
- 借助于基片下方放置的磁铁 ,在溅射的放电空间中引入了纵向的梯度磁场 .辉光放电时 ,其外貌发生了显著的收缩 ,由此沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度 .
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛
- 关键词：磁控溅射辉光放电动量转移
- 平面光延迟器的设计方法及结构
- 本发明属光通讯技术领域,具体为一种平面光延迟器的设计方法及结构。本发明根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论,研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系,缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造...
- 刘坚施斌樊永良赵登涛蒋最敏王迅
- 文献传递
- 反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性被引量：9
- 2000年
- 在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
- 赵登涛狄国庆朱炎
- 关键词：介电性质非晶氧化铝薄膜
- 一种平面光延迟器
- 本实用新型属光通讯技术领域，具体为一种平面光延迟器。本实用新型根据光子晶体缺陷态之间相互耦合的理论，研究了缺陷层厚度和透射谱之间的关系，缺陷层之间的结构的周期数和透射谱之间的关系以及不同数量的缺陷对器件的性能所造成的影响...
- 刘坚施斌樊永良赵登涛蒋最敏王迅
- 文献传递
- 外加磁场对磁控溅射过程及薄膜物性的影响被引量：5
- 2001年
- 通过在放电空间中引入垂直基片方向有梯度的磁场,使得利用普通的平面磁控溅射技术可以方便地制备磁性薄膜。与此同时,磁性薄膜的许多物理性能发生了变化。这种变化还出现于非磁性靶的情况中。本工作对有、无磁场时溅射的过程与结果作了比较,包括自偏压值,薄膜结晶状况,薄膜磁性能的变化等等。通过比较认为,带电粒子在放电空间中的特殊磁场位形中的运动是变化的根本原因。
- 朱炎狄国庆赵登涛
- 关键词：磁场磁控溅射物理性能
- 基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe-N薄膜特性的影响被引量：1
- 2001年
- 利用反应磁控溅射方法制备了Fe N薄膜。发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态 ,退火或在沉积时对基片施加一磁场 ,可使晶粒变大 ,并出现对应内部存在应力的γ′ Fe4N的 (110 )晶面的择优取向。特别是外加的磁场使得Fe N薄膜具有明显改善的磁性能。
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛杨海峰
- 关键词：磁场磁性能
- 梯度磁场中薄膜厚度梯度被引量：2
- 2002年
- 通过在基片的下方放置磁铁 ,在放电空间中引入了纵向的磁场梯度。在这种情况下 ,辉光外貌发生显著收缩。同时 ,沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度。利用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机制。
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛
- 关键词：磁控溅射辉光
